公开(公告)号：CN119012341A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202310590478.3

申请日：2023-05-18

Applicant: 荣耀终端有限公司 ,  西安电子科技大学

Inventor： 邱宇 ,  杨伟 ,  付少忠

IPC: H04W64/00 ,  H04W4/33 ,  H04W4/02

Abstract: 本申请提供了一种室内定位方法、电子设备及存储介质，涉及通信技术领域。所述方法包括：获取定位设备与待定位设备之间的初始相对距离；记录定位设备移动到第一位置时的第一位移参数以及与待定位设备之间的第一相对距离；根据初始相对距离、第一位移参数和第一相对距离确定待定位设备相对于定位设备的第一极坐标；记录定位设备移动到第二位置时的第二位移参数以及与待定位设备之间的第二相对距离；根据第二位移参数和第一极坐标确定待定位设备的第二极坐标；以及根据第二相对距离和第二极坐标确定待定位设备相对于定位设备的目标位置。利用本申请实施例，可以提高寻找待定位设备的精度和速度。

公开(公告)号：CN111370576A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN202010190579.8

申请日：2020-03-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 邱宇 ,  朱俊

IPC: H01L49/02

Abstract: 本发明公开了一种利用PLD制备Al掺杂Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜电容器的方法，属于导电材料技术领域。本发明所述方法通过使用脉冲激光沉积方法沉积薄膜，控制激光能量密度、衬底温度、氧分压、沉积时间等研究Al掺杂Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜的生长工艺与特性，并最终得到TiN/Al-Hf0.5Zr0.5O2/TiN/Pt/Ti/SiO2/Si的MIM结构电容器。本发明制备的铁电薄膜，与现有技术的钙钛矿结构的铁电薄膜相比，具有与CMOS器件的兼容性好、可集成性高、铁电层厚度尺寸小、热稳定性好和化学稳定性高的特点，经过高温快速退火处理工艺后的薄膜，具有介电常数大、剩余极化强度大、漏电流小的优点。

公开(公告)号：CN111370576B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202010190579.8

申请日：2020-03-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 邱宇 ,  朱俊

IPC: H10N97/00

Abstract: 本发明公开了一种利用PLD制备Al掺杂Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜电容器的方法，属于导电材料技术领域。本发明所述方法通过使用脉冲激光沉积方法沉积薄膜，控制激光能量密度、衬底温度、氧分压、沉积时间等研究Al掺杂Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜的生长工艺与特性，并最终得到TiN/Al‑Hf0.5Zr0.5O2/TiN/Pt/Ti/SiO2/Si的MIM结构电容器。本发明制备的铁电薄膜，与现有技术的钙钛矿结构的铁电薄膜相比，具有与CMOS器件的兼容性好、可集成性高、铁电层厚度尺寸小、热稳定性好和化学稳定性高的特点，经过高温快速退火处理工艺后的薄膜，具有介电常数大、剩余极化强度大、漏电流小的优点。