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公开(公告)号：CN102683403B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210123366.9
申请日：2012-04-24
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7397
Abstract: 一种沟槽栅电荷存储型IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统的沟槽栅电荷存储型IGBT的基础上，在器件N型漂移区的上部引入一层P型埋层，通过P型埋层引入的附加PN结和电荷的电场调制作用，屏蔽了高掺杂N型电荷存储层对器件击穿电压的不利影响，从而使器件获得高的击穿电压。同时由于P型埋层对N型电荷存储层的电场屏蔽作用，本发明可采用较高的N型电荷存储层掺杂浓度，从而可增强器件N型漂移区内的电导调制并优化N型漂移区内的载流子分布，从而使器件获得更低的正向导通压降以及更好的正向导通压降和关断损耗的折中。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。
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公开(公告)号：CN102544084B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210068388.X
申请日：2012-03-15
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/417
Abstract: 一种双阳极短接的IGBT器件，属于半导体功率器件技术领域。器件的阳极结构为双阳极短接结构，包括第一、第二P+空穴发射层、金属集电极和二氧化硅阻挡层；二氧化硅阻挡层位于第一P+空穴发射层背面；金属集电极位于第一P+空穴发射层侧面和第二P+空穴发射层下方，且与两个P+空穴发射层相接触；第二P+空穴发射层位于N-漂移区底部，与第一P+空穴发射层平行错开分布，第一、第二P+空穴发射层之间形成电子沟道。本发明通过对IGBT器件的阳极结构进行改进，提高了空穴的注入效率，优化了漂移区载流子浓度分布，加强了器件体内的电导调制能力，有效消除了NDR区，有效减少IGBT器件的关断损耗，最终实现了器件导通压降和关断损耗的一种优化折衷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102832240A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210333321.4
申请日：2012-09-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 一种集电极终端具有介质层的绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件和功率集成电路技术领域。本发明在传统的绝缘栅双极型晶体管结构的基础上，在器件终端集电极区域引入一层连续或不连续的介质层。本发明通过介质层的引入可显著的降低器件终端集电极区域的有效空穴发射效率，从而减小器件终端处的空穴注入。当器件关断时，由于终端集电极区域空穴注入的减少，可使器件终端等位环附近的电流集中现象得到有效的抑制，从而抑制和消除由于电流集中引起的热击穿和动态雪崩击穿，从而有效改善绝缘栅双极型晶体管的关断能力，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN102683403A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210123366.9
申请日：2012-04-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7397
Abstract: 一种沟槽栅电荷存储型IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统的沟槽栅电荷存储型IGBT的基础上，在器件N型漂移区的上部引入一层P型埋层，通过P型埋层引入的附加PN结和电荷的电场调制作用，屏蔽了高掺杂N型电荷存储层对器件击穿电压的不利影响，从而使器件获得高的击穿电压。同时由于P型埋层对N型电荷存储层的电场屏蔽作用，本发明可采用较高的N型电荷存储层掺杂浓度，从而可增强器件N型漂移区内的电导调制并优化N型漂移区内的载流子分布，从而使器件获得更低的正向导通压降以及更好的正向导通压降和关断损耗的折中。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。
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公开(公告)号：CN102201439A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110119814.3
申请日：2011-05-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种体内电导调制增强的沟槽型绝缘栅双极型晶体管(Trench IGBT)，属于功率半导体器件技术领域。本发明在常规Trench IGBT器件结构的基础上，在器件P-基区和N-漂移区之间引入介质层，有效的阻止了正向导通时P-基区对N-漂移区边沿的少子空穴的抽取，使整个N-漂移区的电子和空穴浓度大大增加，优化了漂移区载流子浓度分布，增强了器件体内的电导调制，降低了器件的正向导通压降，从而获得更好的正向导通压降和关断损耗之间的折衷；同时没有牺牲芯片表面的利用率，节约了芯片面积。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。
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公开(公告)号：CN102184950A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110118723.8
申请日：2011-05-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 一种具有空穴阻挡层的绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统IGBT结构的基础上，在器件的N-漂移区内引入一到多层连续或不连续的N+空穴阻挡层，N+空穴阻挡层的引入有效的减缓了正向导通时N-漂移区内少子空穴向发射极的运动，增加了N-漂移区内空穴的浓度，使整个N-漂移区的电子和空穴浓度大大增加，优化了漂移区载流子浓度分布，增强了器件体内的电导调制，降低了器件的正向导通压降，从而获得更好的正向导通压降和关断损耗之间的折衷。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。
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公开(公告)号：CN102544084A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210068388.X
申请日：2012-03-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/417
Abstract: 一种双阳极短接的IGBT器件，属于半导体功率器件技术领域。器件的阳极结构为双阳极短接结构，包括第一、第二P+空穴发射层、金属集电极和二氧化硅阻挡层；二氧化硅阻挡层位于第一P+空穴发射层背面；金属集电极位于第一P+空穴发射层侧面和第二P+空穴发射层下方，且与两个P+空穴发射层相接触；第二P+空穴发射层位于N-漂移区底部，与第一P+空穴发射层平行错开分布，第一、第二P+空穴发射层之间形成电子沟道。本发明通过对IGBT器件的阳极结构进行改进，提高了空穴的注入效率，优化了漂移区载流子浓度分布，加强了器件体内的电导调制能力，有效消除了NDR区，有效减少IGBT器件的关断损耗，最终实现了器件导通压降和关断损耗的一种优化折衷。
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