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公开(公告)号：CN105811960A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610120864.6
申请日：2016-03-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K19/018507
Abstract: 本发明涉及电子电路技术，特别涉及一种用于薄栅氧MOS管的电平位移电路。本发明的电路，相比传统的电平移位电路的区别主要为，传统的高压电平位移电路使用厚栅氧MOS管做驱动级，本发明的电平位移电路使用薄栅氧MOS管做驱动级，减小电平位移电路的功率损耗，提高高压电源转换器的工作频率。本发明的有益效果为，相比原有的电平位移电路结构，本发明的电平位移电路使用电容做负载，利用第二电容、第三电容来保护第一PMOS管、第一功率PMOS管的栅极，使得栅极电压浮动范围在5V以内，能够将薄栅氧MOS管应用到此电路中，从而改善了电路性能。
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公开(公告)号：CN105811959A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610120378.4
申请日：2016-03-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003
CPC classification number: H03K19/018507 , H03K19/00315
Abstract: 本发明属于电子电路技术领域，具体的说涉及一种动态抗噪声干扰的电平移位电路。本发明的电路，相比传统的电平移位电路的区别主要为，传统的高压电平位移电路难以满足高开关速度的要求，本发明的电平位移电路，采用PMOS管为LDMOS管提供大的充电电流，并减小了负载电阻上的噪声压降。本发明的有益效果为，本设计使得电路在高开关速度工作的情形下，会自动提升LMDOS管LD1、LD2漏端电位变化速度以及电路的噪声免疫能力。
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公开(公告)号：CN105071647A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510493218.X
申请日：2015-08-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/32
Abstract: 本发明属于电子电路技术领域，具体的说涉及一种精确电压峰值锁定电路。本发明的电路，相对于传统高侧欠压锁定电路结构，本发明利用已有的由NMOS管M1，M2和电阻R1组成的电流镜启动电路为PMOS管M9提供的栅压对M9管的关断和开启来控制电阻串的连接状态，使得在深度欠压状态下可以对电阻串结构关断来降低电路的功耗。本发明的有益效果为，结构简单，能够有效降低欠压锁定电路的功耗。
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公开(公告)号：CN105792422B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201610222016.6
申请日：2016-04-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05B33/08
CPC classification number: Y02B20/346
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及一种用于LED的开关切换电路。本发明的用于LED的开关切换电路，包括电源、LED模组、驱动电路，其特征在于，还包括控制电路，所述LED模组分别与电源和驱动电路连接，所述控制电路分别与电源和驱动电路连接；所述控制电路用于控制LED模组中LED灯的开关以及不同LED灯之间的切换。本发明的有益效果为，解决了检测开关点和误触发的矛盾，并且相比传统的多只开关模，可将实际所需的外界控制做到最精简，实现了一个开关来同时控制LED灯的开关和各LED灯之间的切换这两个功能。
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公开(公告)号：CN105811960B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201610120864.6
申请日：2016-03-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及电子电路技术，特别涉及一种用于薄栅氧MOS管的电平位移电路。本发明的电路，相比传统的电平移位电路的区别主要为，传统的高压电平位移电路使用厚栅氧MOS管做驱动级，本发明的电平位移电路使用薄栅氧MOS管做驱动级，减小电平位移电路的功率损耗，提高高压电源转换器的工作频率。本发明的有益效果为，相比原有的电平位移电路结构，本发明的电平位移电路使用电容做负载，利用第二电容、第三电容来保护第一PMOS管、第一功率PMOS管的栅极，使得栅极电压浮动范围在5V以内，能够将薄栅氧MOS管应用到此电路中，从而改善了电路性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105024354B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510477019.X
申请日：2015-08-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02H7/20
Abstract: 本发明属于电子电路技术领域，具体的说涉及一种具有低功耗特性的欠压锁定电路。本发明的电路，相对于传统高侧欠压锁定电路结构，本发明利用已有的由NMOS管M1，M2和电阻R1组成的电流镜启动电路为PMOS管M9提供的栅压对M9管的关断和开启来控制电阻串的连接状态，使得在深度欠压状态下可以对电阻串结构关断来降低电路的功耗。本发明的有益效果为，结构简单，能够有效降低欠压锁定电路的功耗。
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公开(公告)号：CN105955379B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201610430988.4
申请日：2016-06-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及一种可关断线的高压启动电路。本发明仅额外增加了数目有限的晶体管，就实现了一种用作高压启动的可关断线性稳压电路，解决了芯片待机功耗过大和功率管寿命过短的问题。本发明的包括带关断的主体电路、偏置和基准电路和控制逻辑电路，偏置和基准电路的功耗很低，可直接通过输入电压产生，并独立工作，给逻辑电路和主体电路提供偏置和基准。控制逻辑电路功能是检测输入点、输出点的状态。主体电路则接受来自偏置和基准电路的偏置和基准以及逻辑电路的控制信号，最终产生稳定的输出电压或是关断功率管。
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公开(公告)号：CN105955379A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610430988.4
申请日：2016-06-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及一种可关断线的高压启动电路。本发明仅额外增加了数目有限的晶体管，就实现了一种用作高压启动的可关断线性稳压电路，解决了芯片待机功耗过大和功率管寿命过短的问题。本发明的包括带关断的主体电路、偏置和基准电路和控制逻辑电路，偏置和基准电路的功耗很低，可直接通过输入电压产生，并独立工作，给逻辑电路和主体电路提供偏置和基准。控制逻辑电路功能是检测输入点、输出点的状态。主体电路则接受来自偏置和基准电路的偏置和基准以及逻辑电路的控制信号，最终产生稳定的输出电压或是关断功率管。
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公开(公告)号：CN105792422A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610222016.6
申请日：2016-04-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05B33/08
CPC classification number: Y02B20/346 , H05B33/0809
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及一种用于LED的开关切换电路。本发明的用于LED的开关切换电路，包括电源、LED模组、驱动电路，其特征在于，还包括控制电路，所述LED模组分别与电源和驱动电路连接，所述控制电路分别与电源和驱动电路连接；所述控制电路用于控制LED模组中LED灯的开关以及不同LED灯之间的切换。本发明的有益效果为，解决了检测开关点和误触发的矛盾，并且相比传统的多只开关模，可将实际所需的外界控制做到最精简，实现了一个开关来同时控制LED灯的开关和各LED灯之间的切换这两个功能。
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公开(公告)号：CN105024684A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510476899.9
申请日：2015-08-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明属于电子电路技术领域，具体的说涉及一种具有抗噪声干扰特性的电平移位电路。本发明的电路，相比传统的电平移位电路的区别主要为，传统的高压电平位移电路使用电阻做负载，本发明的电平位移电路使用电容做负载，提高了高压电平位移电路的噪声免疫能力。本发明的有益效果为，本设计采用自反馈的方式控制负载电容充放电，简化了电路结构，缩小了电路面积，降低了电路功耗，减小了工艺难度。
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