一种张应变高空穴迁移率场效应晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN119997546A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202510087186.7

    申请日:2025-01-20

    Abstract: 本发明公开了一种张应变高空穴迁移率场效应晶体管,包括:基衬底、基板、缓冲层、势垒层、插入层、空间隔离层、空穴供给层、源电极、漏电极和栅电极;基板采用多晶AlN材料,基板上开设有多个盲孔;在基板上生长缓冲层时,缓冲层的材料在基板表面和多个盲孔侧壁生长并合并以引入张应变;势垒层位于缓冲层上,插入层位于上述势垒层上,空间隔离层位于上述插入层上,空穴供给层位于空间隔离层上,源电极、漏电极和栅电极位于空穴供给层上。本发明还公开了一种张应变高空穴迁移率场效应晶体管的制备方法。本发明通过在开有盲孔的多晶AlN基板上进行p沟道异质结的外延,可以对应力的引入和分布进行精准控制从而来实现空穴迁移率的提升。

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