公开(公告)号：CN101771039A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN201010028146.9

申请日：2010-01-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  段双亮 ,  罗波 ,  蒋苓利 ,  傅达平 ,  张波

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8249

Abstract: 一种BCD器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一芯片上同时集成高压nLIGBT、三类高压nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN等半导体器件。其中，高压nLIGBT、nLDMOS和低压NPN直接做在单晶p型衬底上，低压NMOS做在p型阱中，低压PMOS做在n型外延层中。由于p型降场层分别位于n型外延层和n型漂移区阱间，使得p型埋层上的n型外延层为高压器件提供了一个额外的表面导电沟道，使得导电通道增加，降低了高压器件的比导通电阻，从而降低芯片的制造成本。本发明的nLIGBT器件、nLDMOS器件还具有输入阻抗高、输出阻抗低等特点，其构成的高压功率集成电路可以用于消费电子、显示驱动等多种产品中。

公开(公告)号：CN101771084A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN201010028145.4

申请日：2010-01-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  胡曦 ,  罗波 ,  叶俊 ,  蒋苓利 ,  傅达平 ,  段双亮 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: 一种横向功率器件版图结构，属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构；每个元胞具有相同的结构，由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极，且漏电极被轻掺杂漂移区所包围，轻掺杂漂移区被栅电极所包围，栅电极被源电极所包围；每个元胞的源电极、栅电极、轻掺杂漂移区和漏电极以及整个元胞的横截面形状相同，为圆形或正n边形，其中n≥3。本发明布局紧凑，无需额外的曲率终端设计，具有比导通电阻低、寄生电容小、开关速度快和电流能力强等优点，可应用于LDMOS、LIGBT等横向功率器件版图结构中。

公开(公告)号：CN101527277B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200910058508.6

申请日：2009-03-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗小蓉 ,  雷磊 ,  傅达平 ,  高唤梅 ,  蒋辉 ,  雷天飞 ,  王元刚

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明公开了一种双面介质槽部分SOI材料的制备方法，和常规键合工艺相比，本发明在键合前增加了如下步骤：1.顶层硅片上硅槽刻蚀；2.SiO2层的热生长和化学气相淀积；3.刻蚀去除位于源区和沟道区以下的SiO2层；4.淀积多晶硅；5.多晶硅平坦化。在本发明制备的SOI材料上制作的器件通过增强埋氧层电场，从而提高器件耐压，同时又能充分散热。本方法制备的SOI材料上制备的SOI器件与常规SOI结构的器件相比，可以用较薄的顶层硅和埋氧层来达到相同的耐压，进而降低了自热效应。

公开(公告)号：CN101771084B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201010028145.4

申请日：2010-01-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  胡曦 ,  罗波 ,  叶俊 ,  蒋苓利 ,  傅达平 ,  段双亮 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: 一种横向功率器件版图结构，属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构；每个元胞具有相同的结构，由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极，且漏电极被轻掺杂漂移区所包围，轻掺杂漂移区被栅电极所包围，栅电极被源电极所包围；每个元胞的源电极、栅电极、轻掺杂漂移区和漏电极以及整个元胞的横截面形状相同，为圆形或正n边形，其中n≥3。本发明布局紧凑，无需额外的曲率终端设计，具有比导通电阻低、寄生电容小、开关速度快和电流能力强等优点，可应用于LDMOS、LIGBT等横向功率器件版图结构中。

公开(公告)号：CN101771039B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010028146.9

申请日：2010-01-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  段双亮 ,  罗波 ,  蒋苓利 ,  傅达平 ,  张波

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8249

Abstract: 一种BCD器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一芯片上同时集成高压nLIGBT、三类高压nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN等半导体器件。其中，高压nLIGBT、nLDMOS和低压NPN直接做在单晶p型衬底上，低压NMOS做在p型阱中，低压PMOS做在n型外延层中。由于p型降场层分别位于n型外延层和n型漂移区阱间，使得p型埋层上的n型外延层为高压器件提供了一个额外的表面导电沟道，使得导电通道增加，降低了高压器件的比导通电阻，从而降低芯片的制造成本。本发明的nLIGBT器件、nLDMOS器件还具有输入阻抗高、输出阻抗低等特点，其构成的高压功率集成电路可以用于消费电子、显示驱动等多种产品中。

公开(公告)号：CN101527277A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910058508.6

申请日：2009-03-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗小蓉 ,  雷磊 ,  傅达平 ,  高唤梅 ,  蒋辉 ,  雷天飞 ,  王元刚

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明公开了一种双面介质槽部分SOI材料的制备方法，和常规键合工艺相比，本发明在键合前增加了如下步骤：1.顶层硅片上硅槽刻蚀；2.SiO2层的热生长和化学气相淀积；3.刻蚀去除位于源区和沟道区以下的SiO2层；4.淀积多晶硅；5.多晶硅平坦化。在本发明制备的SOI材料上制作的器件通过增强埋氧层电场，从而提高器件耐压，同时又能充分散热。本方法制备的SOI材料上制备的SOI器件与常规SOI结构的器件相比，可以用较薄的顶层硅和埋氧层来达到相同的耐压，进而降低了自热效应。

公开(公告)号：CN101771085A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN201010028147.3

申请日：2010-01-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  段双亮 ,  蒋苓利 ,  傅达平 ,  罗波 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种高压半导体器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在现有的具有降场层结构的横向高压DMOS器件结构基础上，在场氧化层(7)和第一导电类型半导体降场层(3)之间增加了一层第二导电类型半导体外延层(5)，同时在第一导电类型半导体体区(6)和第一导电类型半导体衬底(1)之间增加了一层第一导电类型半导体埋层体区(4)。本发明通过外延工艺增加第二导电类型半导体外延层(5)、为器件提供了一个额外的表面导电通道，与常规具有降场层的高压半导体器件相比，本发明提供的高压半导体器件在相同芯片面积的情况下具有更小的导通电阻(或在相同的导通能力的情况下具有更小的芯片面积)。本发明可用于消费电子、显示驱动等产品中。