公开(公告)号：CN101527277B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200910058508.6

申请日：2009-03-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗小蓉 ,  雷磊 ,  傅达平 ,  高唤梅 ,  蒋辉 ,  雷天飞 ,  王元刚

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明公开了一种双面介质槽部分SOI材料的制备方法，和常规键合工艺相比，本发明在键合前增加了如下步骤：1.顶层硅片上硅槽刻蚀；2.SiO2层的热生长和化学气相淀积；3.刻蚀去除位于源区和沟道区以下的SiO2层；4.淀积多晶硅；5.多晶硅平坦化。在本发明制备的SOI材料上制作的器件通过增强埋氧层电场，从而提高器件耐压，同时又能充分散热。本方法制备的SOI材料上制备的SOI器件与常规SOI结构的器件相比，可以用较薄的顶层硅和埋氧层来达到相同的耐压，进而降低了自热效应。

公开(公告)号：CN101527277A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910058508.6

申请日：2009-03-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗小蓉 ,  雷磊 ,  傅达平 ,  高唤梅 ,  蒋辉 ,  雷天飞 ,  王元刚

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明公开了一种双面介质槽部分SOI材料的制备方法，和常规键合工艺相比，本发明在键合前增加了如下步骤：1.顶层硅片上硅槽刻蚀；2.SiO2层的热生长和化学气相淀积；3.刻蚀去除位于源区和沟道区以下的SiO2层；4.淀积多晶硅；5.多晶硅平坦化。在本发明制备的SOI材料上制作的器件通过增强埋氧层电场，从而提高器件耐压，同时又能充分散热。本方法制备的SOI材料上制备的SOI器件与常规SOI结构的器件相比，可以用较薄的顶层硅和埋氧层来达到相同的耐压，进而降低了自热效应。

公开(公告)号：CN105827512A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610278375.3

申请日：2016-04-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 佘堃 ,  杨瑞瑞 ,  吕赫 ,  雷磊 ,  王伟东 ,  王宇 ,  廖贞林

IPC: H04L12/58 ,  H04L29/08

CPC classification number: H04L51/22 ,  H04L67/1097

Abstract: 本发明公开了一种通过碎片化多云存储的电子邮件通信方法。本发明在发送带附件的邮件时，当附件大小超过预设阈值时，则直接上传附件文件本身，而是上传其对应的元数据，即对于认证用户向代理云发送的上传请求，代理云返回n个云端，发送方将带上传附件碎片化为n个数据块并分别上传到对应的云端，云数据用于记录待上传文件的分块信息、数据块的存储位置、包含发送方标识、附件标识符、收件方标识的下载授权信息；收件方接收邮件时，若附件为元数据，则首先检测元数据中是否存在下载授权信息，若是，则允许认证用户进行下载，即提取元数据的存储位置下载数据块，基于其分块信息组合各数据块，得到下载文件。本发明安全、快捷、支持断点续传。