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公开(公告)号:CN103155126A
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201180048501.1
申请日:2011-09-30
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: B23K35/3006 , B23K35/3013 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05166 , H01L2224/05644 , H01L2224/29101 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/83203 , H01L2224/8384 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/29298 , H01L2924/00015 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2924/01203 , H01L2224/29144 , H01L2924/00014 , H01L2224/29139
Abstract: 本发明提供不会发生构件污染,对接合构件可均匀地涂布,且接合后的状态也良好的贵金属糊料。本发明涉及半导体元件接合用贵金属糊料,该糊料由贵金属粉末和有机溶剂构成,贵金属粉末的纯度在99.9质量%以上,平均粒径为0.1~0.5μm,有机溶剂的沸点为200~350℃,由通过旋转粘度计得到的23℃的剪切速率4/s的粘度相对于剪切速率40/s的粘度的测定值算出的触变性指数(TI)值在6.0以上。
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公开(公告)号:CN103155126B
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201180048501.1
申请日:2011-09-30
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: B23K35/3006 , B23K35/3013 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05166 , H01L2224/05644 , H01L2224/29101 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/83203 , H01L2224/8384 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/29298 , H01L2924/00015 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2924/01203 , H01L2224/29144 , H01L2924/00014 , H01L2224/29139
Abstract: 本发明提供不会发生构件污染,对接合构件可均匀地涂布,且接合后的状态也良好的贵金属糊料。本发明涉及半导体元件接合用贵金属糊料,该糊料由贵金属粉末和有机溶剂构成,贵金属粉末的纯度在99.9质量%以上,平均粒径为0.1~0.5μm,有机溶剂的沸点为200~350℃,由通过旋转粘度计得到的23℃的剪切速率4/s的粘度相对于剪切速率40/s的粘度的测定值算出的触变性指数(TI)值在6.0以上。
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