公开(公告)号：CN105580141B

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201480048369.8

申请日：2014-07-09

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 安德鲁·M·怀特 ,  乔纳森·吉罗德·英格兰 ,  拉杰许·普拉撒度

IPC: H01L27/11582 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种在三维结构中产生经掺杂的垂直通道的制程，其中垂直通道由氧化物‑氮化物‑氧化物堆叠所包围，所述制程包括：穿过氧化物‑氮化物‑氧化物堆叠蚀刻出孔洞；沿着孔洞中的侧壁沉积多晶硅材料；以及使用多个高能离子布植来将掺质离子植入多晶硅材料中，多个高能离子布植各具有至少200keV的植入能量，且其中多个高能离子布植的至少一个是使用至少1MeV的植入能量来进行。藉由通过ONO堆叠，各离子到达的分布范围可不同于由垂直布植产生的分布范围。

公开(公告)号：CN105684139B

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201480050762.0

申请日：2014-08-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 安德鲁·M·怀特 ,  詹姆斯·凯乐

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00 ,  B23Q3/15

Abstract: 本发明揭示一种用于在高温下植入离子的静电卡盘。此静电卡盘包括绝缘基底，其上配置了导电电极。介电顶层配置于电极上。阻隔层配置于介电顶层上，使其位于介电顶层和工作件之间。此阻隔层用来阻止粒子从介电顶层迁移至夹在卡盘上的工作件。在一些实施例中，阻隔层上施加保护层以避免磨损。通过阻隔层阻止金属粒子从介电顶层迁移到工作件，从而维持工作件的完整性，提高工作件的良率。

公开(公告)号：CN105580141A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480048369.8

申请日：2014-07-09

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 安德鲁·M·怀特 ,  乔纳森·吉罗德·英格兰 ,  拉杰许·普拉撒度

IPC: H01L29/788 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926

Abstract: 揭示一种在垂直快闪式元件中掺杂多晶通道的方法。此方法使用多个高能离子布植以在通道的不同深度处掺杂通道。在一些实施例中，此些离子布植是以偏移法线方向的角度进行，使得植入的离子通过周围ONO堆叠的至少一部分。藉由通过ONO堆叠，各离子到达的分布范围可不同于由垂直布植产生的分布范围。

公开(公告)号：CN106068566A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201580012194.X

申请日：2015-01-13

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 安德鲁·M·怀特 ,  克理帕南·维伟克·理奥

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66803 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/324

Abstract: 一种处理半导体装置的方法包含：对薄晶体半导体结构执行包括第一离子的第一离子植入，第一离子剂量将所述薄晶体半导体结构的第一区域非晶化；对至少所述薄晶体半导体结构的所述第一区域执行包括掺杂剂物质的掺杂剂离子的第二离子植入；以及在所述第一植入之后，执行所述半导体装置的至少一次退火，其中在所述第一植入和所述第二植入与所述至少一次退火之后，所述薄晶体半导体结构形成不具有缺陷的单晶区域。

公开(公告)号：CN105684139A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201480050762.0

申请日：2014-08-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 安德鲁·M·怀特 ,  詹姆斯·凯乐

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00 ,  B23Q3/15

CPC classification number: H01L21/6833

Abstract: 揭示一种用于在高温下植入离子的静电卡盘。此静电卡盘包括绝缘基底，其上配置了导电电极。介电顶层配置于电极上。阻隔层配置于介电顶层上，使其位于介电顶层和工作件之间。此阻隔层用来阻止粒子从介电顶层迁移至夹在卡盘上的工作件。在一些实施例中，阻隔层上施加保护层以避免磨损。