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公开(公告)号：CN102280136A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110075860.8
申请日：2011-03-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/161 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , H01L27/0207 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供磁存储器元件和磁存储器器件。该磁存储器元件包括：记录层，能够由于外部磁场而改变磁化方向，并且具有易磁化轴和与该易磁化轴相交的难磁化轴；写入线，用于在记录层的布局位置处形成在与易磁化轴的方向相交的方向上的磁场；以及位线，在与写入线相交的方向上延伸，并且用于在记录层的布局位置处形成在与难磁化轴的方向相交的方向上的磁场。记录层的至少部分放置为介于写入线与位线之间。从写入线和位线与记录层彼此层压的方向看，相对于从层压方向看沿写入线延伸的方向的该写入线的虚拟第一中心线而言，记录层的平面形状的一个部分位于一侧上且另一部分位于另一侧上。从层压方向看的该一个部分的面积小于或等于该另一部分的面积的1/3。
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公开(公告)号：CN102157680A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110048517.4
申请日：2006-11-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , H01L27/228 , H01L43/12
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，这种半导体器件具有包括TMR膜的存储单元，利用它不会使存储器精度退化。在平面图中数字线的形成区的部分中的TMR下电极上相对应的区内，选择地形成TMR元件(TMR膜、TMR上电极)。TMR上电极由30nm至100nm的Ta形成，并且在制造过程时还起硬掩模的作用。在TMR元件的整个表面和TMR下电极的上表面上形成由LT-SiN形成的夹层绝缘膜，并且形成覆盖包括TMR下电极的侧表面的整个表面而且包括LT-SiN的夹层绝缘膜。形成覆盖整个表面而且包括SiO2的夹层绝缘膜。
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公开(公告)号：CN101162755B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200610147028.3
申请日：2006-11-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L43/12 , H01L27/22 , H01L27/105 , H01L21/822 , G11C11/16
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , H01L27/228 , H01L43/12
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，这种半导体器件具有包括TMR膜的存储单元，利用它不会使存储器精度退化。在平面图中数字线的形成区的部分中的TMR下电极上相对应的区内，选择地形成TMR元件(TMR膜、TMR上电极)。TMR上电极由30nm至100nm的Ta形成，并且在制造过程时还起硬掩模的作用。在TMR元件的整个表面和TMR下电极的上表面上形成由LT-SiN形成的夹层绝缘膜，并且形成覆盖包括TMR下电极的侧表面的整个表面而且包括LT-SiN的夹层绝缘膜。形成覆盖整个表面而且包括SiO2的夹层绝缘膜。
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公开(公告)号：CN102157680B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110048517.4
申请日：2006-11-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , H01L27/228 , H01L43/12
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，这种半导体器件具有包括TMR膜的存储单元，利用它不会使存储器精度退化。在平面图中数字线的形成区的部分中的TMR下电极上相对应的区内，选择地形成TMR元件(TMR膜、TMR上电极)。TMR上电极由30nm至100nm的Ta形成，并且在制造过程时还起硬掩模的作用。在TMR元件的整个表面和TMR下电极的上表面上形成由LT-SiN形成的夹层绝缘膜，并且形成覆盖包括TMR下电极的侧表面的整个表面而且包括LT-SiN的夹层绝缘膜。形成覆盖整个表面而且包括SiO2的夹层绝缘膜。
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