公开(公告)号：CN102157680B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201110048517.4

申请日：2006-11-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 古田阳雄 ,  松田亮史 ,  上野修一 ,  黑岩丈晴

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，这种半导体器件具有包括TMR膜的存储单元，利用它不会使存储器精度退化。在平面图中数字线的形成区的部分中的TMR下电极上相对应的区内，选择地形成TMR元件(TMR膜、TMR上电极)。TMR上电极由30nm至100nm的Ta形成，并且在制造过程时还起硬掩模的作用。在TMR元件的整个表面和TMR下电极的上表面上形成由LT-SiN形成的夹层绝缘膜，并且形成覆盖包括TMR下电极的侧表面的整个表面而且包括LT-SiN的夹层绝缘膜。形成覆盖整个表面而且包括SiO2的夹层绝缘膜。

公开(公告)号：CN102157680A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110048517.4

申请日：2006-11-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 古田阳雄 ,  松田亮史 ,  上野修一 ,  黑岩丈晴

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，这种半导体器件具有包括TMR膜的存储单元，利用它不会使存储器精度退化。在平面图中数字线的形成区的部分中的TMR下电极上相对应的区内，选择地形成TMR元件(TMR膜、TMR上电极)。TMR上电极由30nm至100nm的Ta形成，并且在制造过程时还起硬掩模的作用。在TMR元件的整个表面和TMR下电极的上表面上形成由LT-SiN形成的夹层绝缘膜，并且形成覆盖包括TMR下电极的侧表面的整个表面而且包括LT-SiN的夹层绝缘膜。形成覆盖整个表面而且包括SiO2的夹层绝缘膜。

公开(公告)号：CN101162755B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200610147028.3

申请日：2006-11-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 古田阳雄 ,  松田亮史 ,  上野修一 ,  黑岩丈晴

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22 ,  H01L27/105 ,  H01L21/822 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，这种半导体器件具有包括TMR膜的存储单元，利用它不会使存储器精度退化。在平面图中数字线的形成区的部分中的TMR下电极上相对应的区内，选择地形成TMR元件(TMR膜、TMR上电极)。TMR上电极由30nm至100nm的Ta形成，并且在制造过程时还起硬掩模的作用。在TMR元件的整个表面和TMR下电极的上表面上形成由LT-SiN形成的夹层绝缘膜，并且形成覆盖包括TMR下电极的侧表面的整个表面而且包括LT-SiN的夹层绝缘膜。形成覆盖整个表面而且包括SiO2的夹层绝缘膜。