公开(公告)号：CN103199103B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201310008686.4

申请日：2013-01-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 五十岚信行 ,  鬼泽岳 ,  西藤哲史

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02178 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/324 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。第一氮化物半导体层包含Ga。第一氮化物半导体层例如为GaN层、AlGaN层或AlInGaN层。然后，氧化铝层在相对于第一氮化物半导体层的界面区域中具有四配位Al原子和六配位Al原子，该四配位Al原子中的每个均由四个O原子包围，该六配位Al原子中的每个均由六个O原子包围。界面区域是离相对于第一氮化物半导体层的界面例如小于等于1.5nm的区域。然后，在该界面区域中，四配位Al原子基于Al原子的总数以大于等于30at％且小于50at％存在。

公开(公告)号：CN103199103A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310008686.4

申请日：2013-01-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 五十岚信行 ,  鬼泽岳 ,  西藤哲史

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02178 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/324 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。第一氮化物半导体层包含Ga。第一氮化物半导体层例如为GaN层、AlGaN层或AlInGaN层。然后，氧化铝层在相对于第一氮化物半导体层的界面区域中具有四配位Al原子和六配位Al原子，该四配位Al原子中的每个均由四个O原子包围，该六配位Al原子中的每个均由六个O原子包围。界面区域是离相对于第一氮化物半导体层的界面例如小于等于1.5nm的区域。然后，在该界面区域中，四配位Al原子基于Al原子的总数以大于等于30at％且小于50at％存在。

公开(公告)号：CN102623047A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210021853.4

申请日：2012-01-31

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 西藤哲史 ,  寺井真之

IPC: G11C11/56 ,  H01L27/10 ,  H01L27/112

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/54 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/145

Abstract: 提供了一种半导体器件和控制半导体器件的方法。其中半导体器件包括：存储单元，其具有可变电阻器件；以及控制单元，其控制向所述存储单元施加的电压，其中，所述可变电阻器件包括包含第一金属材料的下电极、包含第二金属材料的上电极和包含氧的绝缘膜，所述第一金属材料具有比所述第二金属材料高的标准化氧化物形成能，并且所述控制单元在增大所述绝缘膜的电阻值的操作和减小其所述电阻值的操作时，向所述上电极施加正电压，并且在读出所述绝缘膜的所述电阻值的操作时向所述下电极施加正电压。

公开(公告)号：CN102623047B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210021853.4

申请日：2012-01-31

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 西藤哲史 ,  寺井真之

IPC: G11C11/56 ,  H01L27/10 ,  H01L27/112

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/54 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/145

Abstract: 提供了一种半导体器件和控制半导体器件的方法。其中半导体器件包括：存储单元，其具有可变电阻器件；以及控制单元，其控制向所述存储单元施加的电压，其中，所述可变电阻器件包括包含第一金属材料的下电极、包含第二金属材料的上电极和包含氧的绝缘膜，所述第一金属材料具有比所述第二金属材料高的标准化氧化物形成能，并且所述控制单元在增大所述绝缘膜的电阻值的操作和减小其所述电阻值的操作时，向所述上电极施加正电压，并且在读出所述绝缘膜的所述电阻值的操作时向所述下电极施加正电压。