公开(公告)号：CN103199103A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310008686.4

申请日：2013-01-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 五十岚信行 ,  鬼泽岳 ,  西藤哲史

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02178 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/324 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。第一氮化物半导体层包含Ga。第一氮化物半导体层例如为GaN层、AlGaN层或AlInGaN层。然后，氧化铝层在相对于第一氮化物半导体层的界面区域中具有四配位Al原子和六配位Al原子，该四配位Al原子中的每个均由四个O原子包围，该六配位Al原子中的每个均由六个O原子包围。界面区域是离相对于第一氮化物半导体层的界面例如小于等于1.5nm的区域。然后，在该界面区域中，四配位Al原子基于Al原子的总数以大于等于30at％且小于50at％存在。

公开(公告)号：CN103199103B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201310008686.4

申请日：2013-01-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 五十岚信行 ,  鬼泽岳 ,  西藤哲史

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02178 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/324 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。第一氮化物半导体层包含Ga。第一氮化物半导体层例如为GaN层、AlGaN层或AlInGaN层。然后，氧化铝层在相对于第一氮化物半导体层的界面区域中具有四配位Al原子和六配位Al原子，该四配位Al原子中的每个均由四个O原子包围，该六配位Al原子中的每个均由六个O原子包围。界面区域是离相对于第一氮化物半导体层的界面例如小于等于1.5nm的区域。然后，在该界面区域中，四配位Al原子基于Al原子的总数以大于等于30at％且小于50at％存在。