电阻变化型非易失性存储器件及其操作方法、半导体器件

    公开(公告)号:CN103000806A

    公开(公告)日:2013-03-27

    申请号:CN201210339422.2

    申请日:2012-09-13

    Inventor: 寺井真之

    Abstract: 本发明涉及电阻变化型非易失性存储器件及其操作方法、半导体器件。提出一种电阻变化型非易失性存储器件,其能够执行低压和高速切换行为,同时抑制变化。该电阻变化型非易失性存储器件具备第一电极;设置在第一电极上的电阻变化部;以及设置在电阻变化部上的第二电极。电阻变化部具备设置在第一电极上并通过施加的电压经历电阻变化的电阻变化层以及设置在电阻变化层上并形成细丝的稳定层。电阻变化层和稳定层由彼此不同的金属氧化物制成。电阻变化层的氧化物形成能高于稳定层的氧化物形成能。电阻变化层具有如下膜厚,使得允许电阻变化部在断开状态下的电阻处于由该膜厚确定的范围内。

    电阻变化型非易失性存储器件及其操作方法、半导体器件

    公开(公告)号:CN103000806B

    公开(公告)日:2017-10-13

    申请号:CN201210339422.2

    申请日:2012-09-13

    Inventor: 寺井真之

    Abstract: 本发明涉及电阻变化型非易失性存储器件及其操作方法、半导体器件。提出一种电阻变化型非易失性存储器件,其能够执行低压和高速切换行为,同时抑制变化。该电阻变化型非易失性存储器件具备第一电极;设置在第一电极上的电阻变化部;以及设置在电阻变化部上的第二电极。电阻变化部具备设置在第一电极上并通过施加的电压经历电阻变化的电阻变化层以及设置在电阻变化层上并形成细丝的稳定层。电阻变化层和稳定层由彼此不同的金属氧化物制成。电阻变化层的氧化物形成能高于稳定层的氧化物形成能。电阻变化层具有如下膜厚,使得允许电阻变化部在断开状态下的电阻处于由该膜厚确定的范围内。

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