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公开(公告)号：CN103000806A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210339422.2
申请日：2012-09-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 寺井真之
CPC classification number: G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1675
Abstract: 本发明涉及电阻变化型非易失性存储器件及其操作方法、半导体器件。提出一种电阻变化型非易失性存储器件，其能够执行低压和高速切换行为，同时抑制变化。该电阻变化型非易失性存储器件具备第一电极；设置在第一电极上的电阻变化部；以及设置在电阻变化部上的第二电极。电阻变化部具备设置在第一电极上并通过施加的电压经历电阻变化的电阻变化层以及设置在电阻变化层上并形成细丝的稳定层。电阻变化层和稳定层由彼此不同的金属氧化物制成。电阻变化层的氧化物形成能高于稳定层的氧化物形成能。电阻变化层具有如下膜厚，使得允许电阻变化部在断开状态下的电阻处于由该膜厚确定的范围内。
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公开(公告)号：CN103000806B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201210339422.2
申请日：2012-09-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 寺井真之
CPC classification number: G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1675
Abstract: 本发明涉及电阻变化型非易失性存储器件及其操作方法、半导体器件。提出一种电阻变化型非易失性存储器件，其能够执行低压和高速切换行为，同时抑制变化。该电阻变化型非易失性存储器件具备第一电极；设置在第一电极上的电阻变化部；以及设置在电阻变化部上的第二电极。电阻变化部具备设置在第一电极上并通过施加的电压经历电阻变化的电阻变化层以及设置在电阻变化层上并形成细丝的稳定层。电阻变化层和稳定层由彼此不同的金属氧化物制成。电阻变化层的氧化物形成能高于稳定层的氧化物形成能。电阻变化层具有如下膜厚，使得允许电阻变化部在断开状态下的电阻处于由该膜厚确定的范围内。
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公开(公告)号：CN103022037A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210363802.X
申请日：2012-09-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L27/101 , H01L27/1052 , H01L27/10894 , H01L27/2436 , H01L28/91 , H01L45/04 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器件及其制造方法、半导体器件。在将DRAM和ReRAM安装在一起的情况下，降低了其制造成本，同时保持了电容元件和可变电阻元件的性能。一种半导体存储器件，包括可变电阻元件和电容元件。该可变电阻元件具有第一深度的柱型MIM结构，并且设计为可变电阻型存储器。电容元件具有比第一深度深的第二深度的柱型MIM结构，并且设计为DRAM。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103514950B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201310240843.4
申请日：2013-06-18
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0021 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L45/04 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608
Abstract: 本公开涉及电阻变化存储器及电阻变化器件的成形方法。电阻变化存储器具有电阻变化器件以及用于控制对电阻变化器件的电压施加的控制电路。电阻变化器件具有第一电极、第二电极以及置于第一电极与第二电极之间的电阻变化层。第二电极的材料包括选自W、Ti、Ta及它们的氮化物中的一种材料。在电阻变化器件的成形期间，控制电路接续第一成形处理执行第二成形处理。第一成形处理包括施加电压使得第一电极的电位高于第二电极的电位。第二成形处理包括施加电压使得第二电极的电位高于第一电极的电位。
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公开(公告)号：CN102623047B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210021853.4
申请日：2012-01-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G11C11/56 , H01L27/10 , H01L27/112
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/54 , G11C2213/56 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , G11C2213/82 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/145
Abstract: 提供了一种半导体器件和控制半导体器件的方法。其中半导体器件包括：存储单元，其具有可变电阻器件；以及控制单元，其控制向所述存储单元施加的电压，其中，所述可变电阻器件包括包含第一金属材料的下电极、包含第二金属材料的上电极和包含氧的绝缘膜，所述第一金属材料具有比所述第二金属材料高的标准化氧化物形成能，并且所述控制单元在增大所述绝缘膜的电阻值的操作和减小其所述电阻值的操作时，向所述上电极施加正电压，并且在读出所述绝缘膜的所述电阻值的操作时向所述下电极施加正电压。
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公开(公告)号：CN103022037B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201210363802.X
申请日：2012-09-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L27/101 , H01L27/1052 , H01L27/10894 , H01L27/2436 , H01L28/91 , H01L45/04 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器件及其制造方法、半导体器件。在将DRAM和ReRAM安装在一起的情况下，降低了其制造成本，同时保持了电容元件和可变电阻元件的性能。一种半导体存储器件，包括可变电阻元件和电容元件。该可变电阻元件具有第一深度的柱型MIM结构，并且设计为可变电阻型存储器。电容元件具有比第一深度深的第二深度的柱型MIM结构，并且设计为DRAM。
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公开(公告)号：CN103514950A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310240843.4
申请日：2013-06-18
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0021 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L45/04 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608
Abstract: 本公开涉及电阻变化存储器及电阻变化器件的成形方法。电阻变化存储器具有电阻变化器件以及用于控制对电阻变化器件的电压施加的控制电路。电阻变化器件具有第一电极、第二电极以及置于第一电极与第二电极之间的电阻变化层。第二电极的材料包括选自W、Ti、Ta及它们的氮化物中的一种材料。在电阻变化器件的成形期间，控制电路接续第一成形处理执行第二成形处理。第一成形处理包括施加电压使得第一电极的电位高于第二电极的电位。第二成形处理包括施加电压使得第二电极的电位高于第一电极的电位。
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公开(公告)号：CN102623047A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210021853.4
申请日：2012-01-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G11C11/56 , H01L27/10 , H01L27/112
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/54 , G11C2213/56 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , G11C2213/82 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/145
Abstract: 提供了一种半导体器件和控制半导体器件的方法。其中半导体器件包括：存储单元，其具有可变电阻器件；以及控制单元，其控制向所述存储单元施加的电压，其中，所述可变电阻器件包括包含第一金属材料的下电极、包含第二金属材料的上电极和包含氧的绝缘膜，所述第一金属材料具有比所述第二金属材料高的标准化氧化物形成能，并且所述控制单元在增大所述绝缘膜的电阻值的操作和减小其所述电阻值的操作时，向所述上电极施加正电压，并且在读出所述绝缘膜的所述电阻值的操作时向所述下电极施加正电压。
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