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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110658745B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201910490690.6
申请日：2019-06-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05B19/042
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体装置和使用该半导体装置的控制系统。本发明的目的是提供一种即使在半导体装置高速操作时也能够降低半导体装置的功率消耗的技术。半导体装置包括用于输出信号的模块、延迟元件、具有输入和输出的第一输出电路、连接到第一输出电路的输出并连接到信号布线的第一外部端子、以及第二外部端子。第一输出电路的输入接收由延迟元件延迟的信号。第二外部端子接收没有通过延迟元件的信号。第二外部端子的信号被用于基于延迟的信号而在第一输出电路改变第一外部端子的电位之前改变要连接到第一外部端子的信号布线的电位电平。
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公开(公告)号：CN109872753A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201811341923.8
申请日：2018-11-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G11C16/10
Abstract: 降低了半导体器件的功耗。根据实施例的半导体器件包括：多个电路；总线电路，包括临时存储电路之间的通信数据的多个缓冲器、以及对电路与缓冲器之间的访问进行仲裁的多个仲裁电路；存储单元，存储基于电路之间的通信期间的缓冲器的使用状态的信息，以及存储配置信息，该配置信息包括电路中未用于通信的未使用电路的指定；以及控制电路，控制总线电路，以便基于配置信息来停止缓冲器中未用于通信的未使用缓冲器的使用，以及停止仲裁电路中与未使用电路相对应的仲裁电路中的至少部分配置。
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公开(公告)号：CN106482866B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201610676718.1
申请日：2016-08-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体集成电路和电子控制单元。为了提供一种能够预测归因于时效劣化的其自身寿命(磨损故障)和通知警告的半导体集成电路，它包括形成在相同半导体衬底上的处理器、温度传感器、非易失性存储器和比较器。比较器将由温度传感器测得的温度与预定温度阈值进行比较，且非易失性存储器累积地保持关于温度超出温度阈值时的时段的信息(累积时间)。当温度超出温度阈值时的累积时间超出预定高温时间阈值时，半导体集成电路向外界通知警告。
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公开(公告)号：CN110658745A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910490690.6
申请日：2019-06-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05B19/042
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体装置和使用该半导体装置的控制系统。本发明的目的是提供一种即使在半导体装置高速操作时也能够降低半导体装置的功率消耗的技术。半导体装置包括用于输出信号的模块、延迟元件、具有输入和输出的第一输出电路、连接到第一输出电路的输出并连接到信号布线的第一外部端子、以及第二外部端子。第一输出电路的输入接收由延迟元件延迟的信号。第二外部端子接收没有通过延迟元件的信号。第二外部端子的信号被用于基于延迟的信号而在第一输出电路改变第一外部端子的电位之前改变要连接到第一外部端子的信号布线的电位电平。
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公开(公告)号：CN106482866A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610676718.1
申请日：2016-08-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体集成电路和电子控制单元。为了提供一种能够预测归因于时效劣化的其自身寿命(磨损故障)和通知警告的半导体集成电路，它包括形成在相同半导体衬底上的处理器、温度传感器、非易失性存储器和比较器。比较器将由温度传感器测得的温度与预定温度阈值进行比较，且非易失性存储器累积地保持关于温度超出温度阈值时的时段的信息(累积时间)。当温度超出温度阈值时的累积时间超出预定高温时间阈值时，半导体集成电路向外界通知警告。
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