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公开(公告)号：CN109873633B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN201811363739.3
申请日：2018-11-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本公开的实施例涉及驱动电路、包括驱动电路的半导体器件以及驱动电路的控制方法。根据一个实施例，一种字线驱动器包括：第一反相器，其由第一电源电压驱动并且反相和输出译码信号；第二反相器，其由第二电源电压驱动并且反相和输出译码信号；第一PMOS晶体管，其被控制为基于第二反相器的输出信号而导通或关断；第一NMOS晶体管，其被控制为基于第一反相器的输出信号而导通或关断；以及第二PMOS晶体管，其设置在被提供有第二电源电压的电源电压端子与第一PMOS晶体管的栅极之间，并且与译码信号的下降同步地临时导通。
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公开(公告)号：CN115691597A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210849248.X
申请日：2022-07-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体装置和半导体系统。提供了一种能够根据情况以简单的方式改变数据编程处理的半导体装置。半导体装置包括多个存储器单元、用于向存储器单元供应编程电流的编程电路、以及用于向编程电路供电的电源电路。电源电路包括用于对外部电源升压的电荷泵电路、根据选择指示的外部电源的电压、以及能够切换由电荷泵电路升压的升压电压的可选择电路。控制电路还包括用于通过切换选择指示由编程电路执行数据编程处理的控制电路。
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公开(公告)号：CN103368535B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201310118543.9
申请日：2013-04-01
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K5/125
CPC classification number: H01L2224/48137 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明涉及接收器和具有该接收器的半导体集成电路，该接收器包括正脉冲确定电路和负脉冲确定电路。正脉冲确定电路在检测到具有正幅度的脉冲信号的时刻与未检测到具有正幅度的脉冲信号也未检测到具有负幅度的脉冲信号的时刻之间的时段期间输出第一L电平确定结果，并且如果在其他时段期间检测到具有正幅度的脉冲信号则输出第一H电平确定结果。负脉冲确定电路在检测到具有正幅度的脉冲信号的时刻与未检测到具有正幅度的脉冲信号也未检测到具有负幅度的脉冲信号的时刻之间的时段输出第二L电平确定结果，并且如果在其他时段期间检测到具有负幅度的脉冲信号则输出第二H电平确定结果。
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公开(公告)号：CN105991115A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610152473.2
申请日：2016-03-17
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K5/19
Abstract: 本发明涉及发送器电路、半导体装置和数据发送方法。根据一个实施例的发送器电路包括：脉冲产生电路，基于输入数据的边沿产生脉冲信号；第一输出驱动器，基于所述脉冲信号将根据所述边沿中的一个的第一输出脉冲信号输出至外部的绝缘耦合元件的第一端；第二输出驱动器，基于所述脉冲信号将根据所述边沿中的另一个的第二输出脉冲信号输出至所述绝缘耦合元件的第二端；以及输出停止电路，自接通电源电压时起在规定时间段内停止所述第一输出脉冲信号和所述第二输出脉冲信号的输出。
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公开(公告)号：CN102024816B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201010284307.0
申请日：2010-09-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 武田晃一
IPC: H01L27/11 , G11C11/412
CPC classification number: G11C5/025
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器件。根据本发明的半导体存储器件包括：第一存储器单元阵列，其中多个第一存储器单元被布置成矩阵，数据被从第一存储器单元读取或者被写入到第一存储器单元；和第二存储器单元阵列，其中多个第二存储器单元被布置成矩阵，所述第二存储器单元放大并且存储被布置在相对应的列中的多个第一存储器单元中的一个存储器单元的数据。第一存储器单元阵列和第二存储器单元阵列被布置为在列方向上面对面。第二存储器单元的面积大于第一存储器单元的面积。第一存储器单元阵列的面积是第二存储器单元阵列的面积的两倍或者更大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101727973B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200910204646.0
申请日：2009-10-10
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 武田晃一
IPC: G11C11/413 , G11C11/419
CPC classification number: G11C7/02 , G11C11/417 , G11C11/419
Abstract: 本发明提供了一种半导体存储器装置。半导体存储器装置包括SRAM电路，该SRAM电路具有存储数据的第一SRAM单元和放大数据的电势差并且存储该电势差的第二SRAM单元；字线驱动器电路，该字线驱动器电路输出用于选择要被读取/写入数据的第一SRAM单元中的一个的第一控制信号和用于选择要被读取/写入电势差的第二SRAM单元中的一个的第二控制信号；感应放大器电路，该感应放大器电路放大从根据第二控制信号选择的第二SRAM单元的位线对输出的读取信号的电势差；以及写入驱动器电路，该写入驱动器电路将写入信号输出至根据第二控制信号选择的第二SRAM单元的位线对，并且写入信号在位线之间具有大于读取信号的电势差。
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公开(公告)号：CN116092539A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211375055.1
申请日：2022-11-04
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开的实施例涉及差分放大器、半导体器件和偏移消除方法。在抑制差分放大器的偏移电压的影响的同时，实现了数据读取的速度增强。差分放大器包括：电流源，其被连接至第一电源，在第一电源中可供应电流为第一电流；有源元件对，其被连接到电流源并且将输入到输入端子对的信号放大来输出输出信号对；负载元件对，其被连接到与第一电源的电源电压不同的第二电源，负载元件对用于将输出信号对输出到输出端子对；以及插入在外部输入端子对和输入端子对之间的电容元件对；切换元件对，其在电容元件对中通过使得输出端子对和输入端子对之间的对应端子短路而对电容元件对充电来生成电压；以及电流控制电路。
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公开(公告)号：CN105991115B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201610152473.2
申请日：2016-03-17
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K5/19
Abstract: 本发明涉及发送器电路、半导体装置和数据发送方法。根据一个实施例的发送器电路包括：脉冲产生电路，基于输入数据的边沿产生脉冲信号；第一输出驱动器，基于所述脉冲信号将根据所述边沿中的一个的第一输出脉冲信号输出至外部的绝缘耦合元件的第一端；第二输出驱动器，基于所述脉冲信号将根据所述边沿中的另一个的第二输出脉冲信号输出至所述绝缘耦合元件的第二端；以及输出停止电路，自接通电源电压时起在规定时间段内停止所述第一输出脉冲信号和所述第二输出脉冲信号的输出。
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公开(公告)号：CN109873633A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201811363739.3
申请日：2018-11-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本公开的实施例涉及驱动电路、包括驱动电路的半导体器件以及驱动电路的控制方法。根据一个实施例，一种字线驱动器包括：第一反相器，其由第一电源电压驱动并且反相和输出译码信号；第二反相器，其由第二电源电压驱动并且反相和输出译码信号；第一PMOS晶体管，其被控制为基于第二反相器的输出信号而导通或关断；第一NMOS晶体管，其被控制为基于第一反相器的输出信号而导通或关断；以及第二PMOS晶体管，其设置在被提供有第二电源电压的电源电压端子与第一PMOS晶体管的栅极之间，并且与译码信号的下降同步地临时导通。
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公开(公告)号：CN103368535A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310118543.9
申请日：2013-04-01
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K5/125
CPC classification number: H01L2224/48137 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明涉及接收器和具有该接收器的半导体集成电路，该接收器包括正脉冲确定电路和负脉冲确定电路。正脉冲确定电路在检测到具有正幅度的脉冲信号的时刻与未检测到具有正幅度的脉冲信号也未检测到具有负幅度的脉冲信号的时刻之间的时段期间输出第一L电平确定结果，并且如果在其他时段期间检测到具有正幅度的脉冲信号则输出第一H电平确定结果。负脉冲确定电路在检测到具有正幅度的脉冲信号的时刻与未检测到具有正幅度的脉冲信号也未检测到具有负幅度的脉冲信号的时刻之间的时段输出第二L电平确定结果，并且如果在其他时段期间检测到具有负幅度的脉冲信号则输出第二H电平确定结果。
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