公开(公告)号：CN102449755A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200980159551.X

申请日：2009-05-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 辻高晴 ,  渡边源太

IPC: H01L21/8246 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明的半导体装置改善读出时生成参考电流的参考单元的写入干扰余裕。在配置有常态存储器单元(NMC0-NMC2)的常态单元区域(10N)中，设位线(BL)为包层布线构造(40)，在配置有参考单元(RMC)的参考单元区域(10R)中，设位线(BL)为部分或非包层布线构造(42)。当是同一写入电流时，使施加于参考单元的写入磁场强度比施加于常态存储器单元的写入磁场强度小。

公开(公告)号：CN102449755B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN200980159551.X

申请日：2009-05-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 辻高晴 ,  渡边源太

IPC: H01L21/8246 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明的半导体装置改善读出时生成参考电流的参考单元的写入干扰余裕。在配置有常态存储器单元(NMC0-NMC2)的常态单元区域(10N)中，设位线(BL)为包层布线构造(40)，在配置有参考单元(RMC)的参考单元区域(10R)中，设位线(BL)为部分或非包层布线构造(42)。当是同一写入电流时，使施加于参考单元的写入磁场强度比施加于常态存储器单元的写入磁场强度小。

公开(公告)号：CN115691597A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210849248.X

申请日：2022-07-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 渡边源太 ,  松原谦 ,  齐藤朋也 ,  神田明彦 ,  武田晃一 ,  下井贵裕

IPC: G11C11/16 ,  G11C5/14

Abstract: 本公开涉及半导体装置和半导体系统。提供了一种能够根据情况以简单的方式改变数据编程处理的半导体装置。半导体装置包括多个存储器单元、用于向存储器单元供应编程电流的编程电路、以及用于向编程电路供电的电源电路。电源电路包括用于对外部电源升压的电荷泵电路、根据选择指示的外部电源的电压、以及能够切换由电荷泵电路升压的升压电压的可选择电路。控制电路还包括用于通过切换选择指示由编程电路执行数据编程处理的控制电路。