公开(公告)号：CN103514950A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310240843.4

申请日：2013-06-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 阪口智则 ,  寺井真之 ,  八高公一

IPC: G11C16/02 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C13/0021 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/79 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608

Abstract: 本公开涉及电阻变化存储器及电阻变化器件的成形方法。电阻变化存储器具有电阻变化器件以及用于控制对电阻变化器件的电压施加的控制电路。电阻变化器件具有第一电极、第二电极以及置于第一电极与第二电极之间的电阻变化层。第二电极的材料包括选自W、Ti、Ta及它们的氮化物中的一种材料。在电阻变化器件的成形期间，控制电路接续第一成形处理执行第二成形处理。第一成形处理包括施加电压使得第一电极的电位高于第二电极的电位。第二成形处理包括施加电压使得第二电极的电位高于第一电极的电位。

公开(公告)号：CN102044443B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201010510343.4

申请日：2010-10-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 八高公一

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该方法包括第一工艺，在其浓度峰值位于比硅化物和半导体衬底之间的界面更深的位置的情况下，以等于或者小于1E14原子/cm2的浓度，在具有升高的结构的源极和漏极区域中注入第一导电型的第一杂质；第二工艺，在其峰值位于比第一杂质的浓度峰值更浅的位置的条件下，将具有比第一杂质的质量小的质量的第一导电型的第二杂质注入到源极和漏极区域；以及第三工艺，在第一和第二工艺之后将高温毫秒退火应用于半导体衬底。

公开(公告)号：CN103514950B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201310240843.4

申请日：2013-06-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 阪口智则 ,  寺井真之 ,  八高公一

IPC: G11C16/02 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C13/0021 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/79 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608

Abstract: 本公开涉及电阻变化存储器及电阻变化器件的成形方法。电阻变化存储器具有电阻变化器件以及用于控制对电阻变化器件的电压施加的控制电路。电阻变化器件具有第一电极、第二电极以及置于第一电极与第二电极之间的电阻变化层。第二电极的材料包括选自W、Ti、Ta及它们的氮化物中的一种材料。在电阻变化器件的成形期间，控制电路接续第一成形处理执行第二成形处理。第一成形处理包括施加电压使得第一电极的电位高于第二电极的电位。第二成形处理包括施加电压使得第二电极的电位高于第一电极的电位。

公开(公告)号：CN102044443A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010510343.4

申请日：2010-10-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 八高公一

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该方法包括第一工艺，在其浓度峰值位于比硅化物和半导体衬底之间的界面更深的位置的情况下，以等于或者小于1E14原子/cm2的浓度，在具有升高的结构的源极和漏极区域中注入第一导电型的第一杂质；第二工艺，在其峰值位于比第一杂质的浓度峰值更浅的位置的条件下，将具有比第一杂质的质量小的质量的第一导电型的第二杂质注入到源极和漏极区域；以及第三工艺，在第一和第二工艺之后将高温毫秒退火应用于半导体衬底。