粘接片及其使用方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108495900B

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201780007910.4

    申请日:2017-02-07

    Inventor: 金井道生

    Abstract: 本发明提供一种粘接片(100),其具备粘接剂层(3)和设置于粘接剂层(3)的两面的第一片材(1)及第二片材(2),第一区域(21a)和第一区域(21a)以外的第二区域(21b)相对于粘接剂层(3)的剥离性不同,所述第一区域(21a)包含第二片材(2)俯视时相互对置的端部或该端部的附近,将第一片材(1)从粘接剂层(3)剥离的剥离力设为F1、将第二区域(21b)中的第二片材(2)从粘接剂层(3)剥离的剥离力设为F2、且将第一区域(21a)中的第二片材(2)从粘接剂层(3)剥离的剥离力设为F3的情况下,满足下述数学式(F1)的条件:F2<F1<F3…(F1)。

    粘接片及其使用方法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108603077B

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN201780007909.1

    申请日:2017-02-07

    Inventor: 金井道生

    Abstract: 本发明提供一种具备粘接剂层(3)和设置于粘接剂层(3)的两面的第一片材(1)及第二片材(2)的长条状粘接片(100)。该粘接片(100)在第一片材(1)俯视时的宽度方向的两端部的附近沿着上述两端部设置有第一切痕(41),在将第一片材(1)从粘接剂层(3)剥离的剥离力设为F1、且将第二片材(2)从粘接剂层(3)剥离的剥离力设为F2的情况下,满足下述数学式(F1)的条件:F2<F1···(F1)。

    切割片及半导体晶片的制造方法

    公开(公告)号:CN110079224A

    公开(公告)日:2019-08-02

    申请号:CN201910106826.9

    申请日:2012-11-02

    Abstract: 本发明提供一种切割片,由厚度20~200μm的基材、位于该基材表面的中间层、以及位于该中间层上厚度8~30μm的粘接剂层所构成,该粘接剂层包括分子内具有能量线硬化性双键的化合物,且该粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G'为中间层的23℃储存弹性率G'的4倍以上,在高15μm、直径15μm的圆柱型电极以40μm的间距等间隔地形成3行3列所形成的晶片通过该粘接剂层粘贴的情形中,该3行3列所形成的圆柱型电极的中心的电极中,该电极高度7.5μm以下的部分不接触该粘接剂层。本发明提供的切割片在突起状电极(贯通电极)间不残留粘接剂层的残渣、晶片不破损、可切割及提取。

    粘接片及其使用方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108603077A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201780007909.1

    申请日:2017-02-07

    Inventor: 金井道生

    Abstract: 本发明提供一种具备粘接剂层(3)和设置于粘接剂层(3)的两面的第一片材(1)及第二片材(2)的长条状粘接片(100)。该粘接片(100)在第一片材(1)俯视时的宽度方向的两端部的附近沿着上述两端部设置有第一切痕(41),在将第一片材(1)从粘接剂层(3)剥离的剥离力设为F1、且将第二片材(2)从粘接剂层(3)剥离的剥离力设为F2的情况下,满足下述数学式(F1)的条件:F2<F1···(F1)。

    双面有机硅粘合片及双面有机硅粘合片的制造方法

    公开(公告)号:CN109642128A

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201780049847.0

    申请日:2017-10-24

    Inventor: 金井道生

    Abstract: 本发明提供一种双面有机硅粘合片(1)的制造方法,该方法具有以下工序:在基材(11)的第一基材面(11a)涂布含有有机硅类粘合剂的第一涂敷液而形成第一粘合剂层(21)的工序;将第一剥离膜(31)层叠于第一粘合剂层(21),得到具有抗静电性能的单面有机硅粘合片的工序;将单面有机硅粘合片卷绕成卷状的工序;将卷绕成卷状的单面有机硅粘合片送出的工序;在基材(11)的与第一基材面(11a)相反侧的第二基材面(11b)涂布含有有机硅类粘合剂的第二涂敷液而形成第二粘合剂层(22)的工序;以及,将第二剥离膜(32)层叠于第二粘合剂层(22)并卷绕成卷状的工序。

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