粘着胶带及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN111868193A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201980020566.1

    申请日:2019-03-14

    Abstract: 作为技术问题,本发明的目的在于,特别是在采用预切割法而制造微小的半导体芯片时,减少将芯片21从背磨胶带10转印至拾取胶带30或粘合胶带的转印不良。此外,本发明的目的在于,改善将芯片从背磨胶带10转印至拾取胶带30或粘合胶带的转印效率。作为解决手段,本发明提供一种粘着胶带10,所述粘着胶带10的特征在于,其优选被用作为上述背磨胶带,其包含基材11与设置在该基材11的一面的粘着剂层12,所述粘着剂层12由能量射线固化性粘着剂构成,照射能量射线而固化后的粘着剂的200℃下的储能模量E’200为1.5MPa以上。

    粘着胶带及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN111868192A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201980020459.9

    申请日:2019-03-14

    Abstract: 作为技术问题,本发明的目的在于,特别是在采用预切割法而制造微小的半导体芯片时,减少将芯片21从背磨胶带10转印至拾取胶带30或粘合胶带的转印不良。此外,本发明的目的在于,改善将芯片从背磨胶带10转印至拾取胶带30或粘合胶带的转印效率。作为解决手段,本发明提供一种粘着胶带10,所述粘着胶带10的特征在于,其优选被用作为上述背磨胶带,其包含基材11与设置在该基材11的一面的粘着剂层12,所述粘着剂层12由能量射线固化性粘着剂构成,将硅晶圆镜面贴附于所述粘着剂层12后,对粘着剂层照射能量射线而进行固化,进一步在压力0.5N/cm2、210℃的条件下热压接5秒钟后的23℃下的粘着力为9.0N/25mm以下。

    粘着胶带及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN111868190A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201980020569.5

    申请日:2019-02-27

    Abstract: 本发明提供一种即使在所谓的预切割法之后进行干式抛光时,也能够稳定地保持芯片等的粘着胶带。所述粘着胶带在对半导体晶圆表面形成有沟槽的半导体晶圆的背面进行磨削,并通过该磨削使半导体晶圆单颗化为半导体芯片后,进行干式抛光的工序中,贴附于半导体晶圆表面而进行使用,所述粘着胶带包含基材、及设置在该基材的一面的粘着剂层,60℃下的所述基材的拉伸储能模量为250Mpa以上。

    剥离片、带剥离片的偏振片以及无基材双面粘结片

    公开(公告)号:CN101537726A

    公开(公告)日:2009-09-23

    申请号:CN200910126389.3

    申请日:2009-03-10

    Abstract: 本发明涉及剥离片、带剥离片的偏振片以及无基材双面粘结片。本发明提供能够用交叉尼克尔法进行检查时实施高精度的检查,并且剥离性能良好的剥离片。本发明的剥离片是在剥离片基材上设置剥离剂层的剥离片。剥离片基材是单向或双向延伸的聚酯薄膜。剥离剂层将含有分子中具有碳原子数为6~10的烯基的有机聚硅氧烷和分子中具有烯基的MQ树脂的加成反应型硅树脂组合物进行硬化覆膜。在由剥离片取样的试样中,剥离片基材的取向主轴相对于在任意方向设定的直线轴的倾角(取向角)的分布范围为5°以下。

    切割片及使用该切割片的芯片制造方法

    公开(公告)号:CN106104759B

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201580014857.1

    申请日:2015-03-12

    Abstract: 本发明涉及一种切割片(1),其具备基材(2)和层叠于基材(2)的至少一面上的粘着剂层(3);该粘着剂层(3)由含有能量聚合性化合物(B)的粘着剂组合物形成;粘着剂层(3)在照射能量线之前,在23℃下的储能模量为135,000Pa以下;对于对粘着剂层(3)照射能量线之前的切割片(1),依据JIS Z0237:2009进行相对于不锈钢试验板的180°粘着力试验时,测定的粘着力为10N/25mm以上;即使在向切割片(1)的粘着剂层(3)照射能量线后,利用Gardner式芯轴弯曲实验仪,并根据ASTM‑D522,将芯轴的直径设为2mm后对该切割片(1)进行弯曲试验,照射能量线后的粘着剂层(3)也不发生破裂。

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