公开(公告)号：CN112262459A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201980038938.3

申请日：2019-05-22

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 山田忠知 ,  田久真也

IPC: H01L21/56 ,  C09J7/20 ,  C09J7/38 ,  C09J201/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及一种固化密封体的制造方法，其是使用粘合片而制造固化密封体的方法，所述粘合片具有基材(Y)、第1粘合剂层(X1)及第2粘合剂层(X2)，所述基材(Y)具备包含膨胀性粒子的膨胀性基材层(Y1)及非膨胀性基材层(Y2)，该固化密封体的制造方法包括下述工序(1)～(3)，·工序(1)：将第1粘合剂层(X1)的粘合表面粘贴于硬质支撑体、在第2粘合剂层(X2)的粘合表面的一部分载置密封对象物的工序；·工序(2)：将所述密封对象物和第2粘合剂层(X2)的粘合表面用密封材料包覆，使该密封材料进行固化，从而得到固化密封体的工序；·工序(3)：使所述膨胀性粒子膨胀，在所述硬质支撑体和第1粘合剂层(X1)的界面P进行分离的工序。

公开(公告)号：CN108933085A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810533974.4

申请日：2018-05-29

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 冈本直也 ,  山田忠知 ,  田久真也

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/30 ,  H01L21/67092

Abstract: 一种分离装置，对粘接片(AS)上的板状部件(WF)施加四个方向的张力而扩大由板状部件(WF)形成的多个片状体(CP)的间隔。分离装置(10)具备：多个保持机构(20)，其由多个保持部件(21)保持粘接片(AS)；伸长机构(30A、30B)，其使保持部件(21)向四个方向中针对每个保持机构(20)而不同的一个方向移动，并且使该保持部件(21)向该一个方向的交叉方向移动而使粘接片(AS)伸长；控制机构(40)，其对保持部件(21)基于伸长机构(30A，30B)的移动进行控制；控制机构(40)根据片状体(CP)的尺寸和间隔的目标值来计算粘接片(AS)的伸长量的目标值，使保持部件(21)在伸长机构(30A、30B)上移动，以使粘接片(AS)的伸长量成为其目标值。

公开(公告)号：CN1145202C

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN99118101.8

申请日：1999-08-18

Applicant: 琳得科株式会社 ,  东芝株式会社

Inventor： 高桥和弘 ,  江部和义 ,  田久真也

IPC: H01L21/304 ,  B24B7/22

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B24B37/04 ,  C08L33/06 ,  C09J7/22 ,  C09J7/243 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/122 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/006 ,  C09J2433/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2809

Abstract: 一种在晶片背磨的一个工艺中所使用的用于半导体晶片的表面保护片，此工艺包括：在设有电路的半导体晶片的表面上形成槽，槽的切割深度小于晶片的厚度；以及对晶片的背面进行研磨从而减小晶片的厚度且最终把晶片分割成独立的芯片，该表面保护片包括衬底和叠加在其上的压敏粘合剂层，该压敏粘合剂层的弹性模量在40℃下至少为1.0×105帕。此表面保护片适用于以高产率生产极薄的IC芯片的工艺。

公开(公告)号：CN119920740A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411369909.4

申请日：2024-09-29

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 田久真也

IPC: H01L21/677

Abstract: 提供一种移载装置及移载方法，能够防止在片状体的移载目的地产生该片状体的移载时差。移载装置（EA）从构成第一集合形状（AF1）的多个片状体（CP）取出该片状体（CP），并以由取出的片状体（CP）的多个构成第二集合形状（AF2）的方式，将该片状体（CP）移载到支撑体（BP）。移载装置（EA）具备：取出单元（10），其从构成第一集合形状（AF1）的多个片状体（CP）取出该片状体（CP）；一并支撑单元（20），其在由取出单元（10）取出的片状体（CP）移载到支撑体（BP）之前，以构成第二集合形状（AF2）的方式一并支撑多个片状体（CP），并将一并支撑的多个片状体（CP）一并移载到支撑体（BP）。

公开(公告)号：CN108933085B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201810533974.4

申请日：2018-05-29

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 冈本直也 ,  山田忠知 ,  田久真也

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/67

Abstract: 一种分离装置，对粘接片(AS)上的板状部件(WF)施加四个方向的张力而扩大由板状部件(WF)形成的多个片状体(CP)的间隔。分离装置(10)具备：多个保持机构(20)，其由多个保持部件(21)保持粘接片(AS)；伸长机构(30A、30B)，其使保持部件(21)向四个方向中针对每个保持机构(20)而不同的一个方向移动，并且使该保持部件(21)向该一个方向的交叉方向移动而使粘接片(AS)伸长；控制机构(40)，其对保持部件(21)基于伸长机构(30A，30B)的移动进行控制；控制机构(40)根据片状体(CP)的尺寸和间隔的目标值来计算粘接片(AS)的伸长量的目标值，使保持部件(21)在伸长机构(30A、30B)上移动，以使粘接片(AS)的伸长量成为其目标值。

公开(公告)号：CN114514296A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202080070084.X

申请日：2020-05-22

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 山田忠知 ,  高野健 ,  田久真也

IPC: C09J7/25 ,  C09J7/38 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种粘合片(1)，其具有基材(10)和粘合剂层(20)，所述粘合片的拉伸强度FA1和拉伸强度FB1满足下述数学式1A的关系，所述拉伸强度FA1为：由所述粘合片制作宽度25mm的第一试验片，用夹具(101,102)夹持着第一试验片的长度方向的两端并利用拉伸试验机进行0.5mm拉伸时的拉伸强度；所述拉伸强度FB1为：将纵向尺寸为45mm、横向尺寸为35mm、厚度尺寸为0.625mm的第一半导体芯片(CP1)及第二半导体芯片(CP2)中的第一半导体芯片(CP1)贴合于第一试验片的长度方向上一端侧、将第二半导体芯片(CP2)贴合于该长度方向上另一端侧而制作第二试验片，用夹具(101,102)夹持着第二试验片的长度方向的两端并利用拉伸试验机进行0.5mm拉伸时的拉伸强度。FB1/FA1≤30···(数学式1A)。

公开(公告)号：CN1331210C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200410031633.5

申请日：2004-03-31

Applicant: 株式会社东芝 ,  琳得科株式会社

Inventor： 田久真也 ,  黑泽哲也 ,  持田欣也 ,  渡边健一

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/50 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/6839 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：在已在第1面上形成了半导体元件的半导体晶片的上述第1面上，设置最终加工厚度以上的沟；向已设置有上述沟的上述晶片的上述第1面之上粘贴粘接性带；采用从与已粘贴上上述粘接性带的上述半导体晶片的上述第1面相反的第2面使上述半导体晶片薄厚度化的办法，把上述半导体晶片分离成已形成了上述半导体元件的多个半导体芯片，向分离后的上述半导体晶片的整个背面上粘贴粘接剂层；使得分离成每一个上述半导体芯片那样地切断上述粘接剂层；在切断上述粘接剂层后，用至少已分离成2个吸附区的多孔质构件边借助于吸附固定上述半导体晶片，边从上述半导体晶片上剥离上述粘接性带。

公开(公告)号：CN1536646A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN200410031633.5

申请日：2004-03-31

Applicant: 株式会社东芝 ,  琳得科株式会社

Inventor： 田久真也 ,  黑泽哲也 ,  持田欣也 ,  渡边健一

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/50 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/6839 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：在已在第1面上形成了半导体元件的半导体晶片的上述第1面上，设置最终加工厚度以上的沟；向已设置有上述沟的上述晶片的上述第1面之上粘贴粘接性带；采用从与已粘贴上上述粘接性带的上述半导体晶片的上述第1面相反的第2面使上述半导体晶片薄厚度化的办法，把上述半导体晶片分离成已形成了上述半导体元件的多个半导体芯片，向分离后的上述半导体晶片的整个背面上粘贴粘接剂层；使得分离成每一个上述半导体芯片那样地切断上述粘接剂层；在切断上述粘接剂层后，用至少已分离成2个吸附区的多孔质构件边借助于吸附固定上述半导体晶片，边从上述半导体晶片上剥离上述粘接性带。

公开(公告)号：CN111656491A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201980010027.X

申请日：2019-03-26

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 田久真也 ,  山田忠知

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种带第一保护膜的半导体芯片的制造方法，该制造方法包含：将热固性树脂膜贴附在具有凸块的半导体晶圆的该凸块侧的第一面上；通过使该热固性树脂膜进行热固化，在该半导体晶圆的该第一面上形成第一保护膜；从形成有所述第一保护膜的第一面的一侧对该半导体晶圆进行半切切割；及通过对该半导体晶圆的经过半切切割的该第一面的一侧进行等离子体照射，去除该凸块的头顶部的该第一保护膜的残渣，并同时将该半导体晶圆单颗化。

公开(公告)号：CN1532900A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN200410029644.X

申请日：2004-03-26

Applicant: 株式会社东芝 ,  琳得科株式会社

Inventor： 黑泽哲也 ,  田久真也 ,  持田欣也 ,  渡边健一

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6838 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6839 ,  Y10S156/941 ,  Y10S438/976 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/12 ,  Y10T156/19

Abstract: 本发明提供一种减少半导体芯片断裂、崩屑等不良，制造高品质半导体器件，并且抑制制造成品率低下的具有粘着性带剥离机构的半导体制造设备和半导体器件的制造方法。具备剥离机构，该剥离机构被保持台3支撑，用在粘着性带24的剥离方向至少分为至少2个吸附区的多孔质材料吸附固定粘着性带的所述半导体晶片一侧，剥离粘贴在分成小片后的半导体晶片上的粘着性带24。对半导体晶片的每个半导体芯片1的背面粘贴粘合剂层。通过所述多孔质材料吸附固定半导体晶片，控制2系统以上的真空配管系统，在剥离前后一边转换二等分以上的吸附组和真空系统一边剥离粘着性带，从台上剥离一个个半导体芯片。能够制成叠层半导体芯片的叠式MCP制品。