-
公开(公告)号：CN118571945A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411041301.9
申请日：2024-07-31
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了沟槽MOSFET器件及其制备方法，MOSFET器件包括：依次贯穿源区和第一注入层并延伸至外延层中的栅沟槽结构，栅沟槽结构包括承压层、栅极和栅氧层，承压层包括绝缘材料，栅极具有底面及相对的第一侧面和第二侧面，承压层中具有与底面接触的第一区域及与第一侧面接触的第二区域，栅氧层与第二侧面接触，第一区域在垂直于底面的方向上最小厚度为第一厚度，第二区域沿第一方向的最小厚度为第二厚度，栅氧层沿第一方向的最大厚度为第三厚度，第一厚度和/或第二厚度大于第三厚度。该器件解决现有技术中沟槽MOSFET器件因沟槽底部栅氧质量差导致的器件提前击穿问题，以及因额外引入JFET电阻导致导通损耗增加的问题。
-
公开(公告)号：CN118571944A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411041296.1
申请日：2024-07-31
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了沟槽MOSFET器件及其制备方法。该沟槽MOSFET器件包括依次贯穿源区和注入区并延伸至外延层中的第一栅沟槽结构和多个第二栅沟槽结构，第一栅沟槽结构中的第一栅氧层位于第一栅极的底面和侧面，第二栅沟槽结构中的第二栅氧层位于第二栅极背离第一栅沟槽结构的一侧，第二栅极具有背离第二栅氧层的第一侧面，且第二栅沟槽结构还包括绝缘的承压层，承压层至少位于第二栅极的底面和第一侧面。通过承压层增加了沟槽底部耐压性能；且由于第一栅沟槽结构位于至少两个相邻的第二栅沟槽结构之间，使器件具有双侧导通能力的栅沟槽结构，通过借助相邻的第二栅沟槽结构的掩蔽作用实现对第一栅沟槽结构的保护，提升了器件的电流密度。
-
公开(公告)号：CN119789481A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411929173.1
申请日：2024-12-25
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括：衬底；外延层，位于衬底的一侧表面上；元胞结构，包括多个有源区和栅极，多个有源区在外延层中间隔排布，有源区包括邻接的注入区和基区、以及位于基区中的源区，源区与注入区接触，有源区靠近另一有源区的侧面为基区的侧面，栅极包括公共部和多个分裂栅，公共部和多个分裂栅位于外延层远离衬底的一侧，多个分裂栅围绕公共部且均与公共部连接，一分裂栅在外延层的正投影覆盖一基区远离衬底的部分表面，基区与注入区的掺杂类型为第一掺杂类型，源区、外延层和衬底的掺杂类型为第二掺杂类型。本申请解决了现有技术中平面分裂栅型半导体结构的可靠性较差的问题。
-
公开(公告)号：CN119153537A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411645464.8
申请日：2024-11-18
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L23/48 , H01L23/485 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和半导体器件的制作方法。半导体器件包括：基底结构；多个在预设方向依次分布的沟槽栅极部，位于基底结构中，预设方向与基底结构的厚度方向垂直；绝缘层，位于基底结构一侧的部分表面上，绝缘层和基底结构之间具有容纳腔，绝缘层在基底结构上的正投影与沟槽栅极部在基底结构上的正投影至少部分重叠；多个导电部，导电部为源极金属部或者漏极金属部中的一种，多个导电部中的至少一个导电部用于输入信号，多个导电部中的至少两个导电部用于输出信号，在预设方向上用于输入信号的导电部和用于输出信号的导电部之间具有至少一个沟槽栅极部。解决了现有技术中半导体器件如何满足二次布线的需求的技术问题。
-
公开(公告)号：CN118571942A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411041291.9
申请日：2024-07-31
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了沟槽MOSFET器件及其制备方法。该MOSFET器件包括依次贯穿源区和注入区并延伸至外延层中的栅沟槽结构，栅沟槽结构包括承压层、第一结构和第二结构，其中：承压层包括绝缘材料，且承压层中具有位于第一结构和第二结构之间的第一区域，第一结构具有第一栅极和第一栅氧层，第一栅氧层位于第一栅极背离第一区域的一侧，第二结构具有导电结构和氧化层，氧化层位于导电结构背离第一区域的一侧，第一栅氧层和氧化层分别与外延层、注入区和源区接触，承压层中还具有位于第一结构的底面和第二结构的底面并与第一区域接触的第二区域。本申请增加了器件的电流密度，降低了器件的输入电容，提高了沟槽MOSFET的高频特性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120076373A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510529941.2
申请日：2025-04-25
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种MOSFET器件及其制备方法，该器件包括至少一个第一区域，包括第一掺杂区、第二掺杂区和第一体区，第一掺杂区位于外延层背离衬底一侧，第二掺杂区环绕第一掺杂区的外周，第一体区位于第二掺杂区靠近衬底的一侧，第一区域与MOSFET器件的源极接触；多个第二区域分布在第一区域的外周，第二区域包括外延区域、第三掺杂区和第二体区，第二体区环绕外延区域的外周，第三掺杂区位于第二体区背离外延区域的一侧，其中，第一体区与第二体区接触，第三掺杂区与第二掺杂区接触，第二区域与MOSFET器件的栅极结构接触，以解决现有技术中MOSFET器件导通电阻较大和面积不能优化的问题。
-
公开(公告)号：CN119153539A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411645472.2
申请日：2024-11-18
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本申请提供了一种半导体结构以及半导体器件。该半导体结构包括：基底；外延层，位于基底上；掺杂层，位于外延层远离基底的一侧，外延层的掺杂类型与掺杂层的掺杂类型不同；源区，位于掺杂层中，源区的远离基底的表面为掺杂层的远离基底的部分表面；漏区，位于掺杂层中，且位于源区的一侧，漏区的远离基底的表面为掺杂层的远离基底的部分表面；沟槽栅结构，位于外延层和掺杂层中，位于源区和漏区之间且分别与源区和漏区接触；掺杂阱区，位于外延层和掺杂层中，且分别与沟槽栅结构的靠近基底的表面以及沟槽栅结构的部分侧面接触，掺杂阱区的掺杂类型与外延层的掺杂类型相同，掺杂阱区的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度。
-
公开(公告)号：CN119153538A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411645470.3
申请日：2024-11-18
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L23/48 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本申请提供了一种半导体结构以及半导体器件，该半导体结构包括：衬底；第一半导体耐压层，位于衬底上，导电类型与衬底相同；第二半导体耐压层，位于第一半导体耐压层的远离衬底的一侧，导电类型与衬底不同；第一注入区，位于第二半导体耐压层中，导电类型与衬底不同；第二注入区，位于第二半导体耐压层中，且位于第一注入区的一侧，第二注入区的靠近衬底的表面与第一半导体耐压层接触，导电类型与衬底相同；第三注入区，位于第二注入区中，导电类型与衬底相同，掺杂浓度与衬底相同；第一沟槽栅结构，位于第一半导体耐压层和第二半导体耐压层中，与第一注入区、第二注入区和第三注入区分别接触。本申请解决了沟槽型MOS容易出现闩锁效应的问题。
-
公开(公告)号：CN119153533A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411645485.X
申请日：2024-11-18
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本申请提供了一种MOSFET器件和MOSFET器件的制作方法，MOSFET器件包括：衬底，衬底的材料包括碳化硅；外延层，位于衬底的表面上；沟槽栅极结构，位于外延层内；源区在第一方向上位于沟槽栅极结构的一侧，第一方向与衬底的厚度方向垂直，源区的掺杂类型和外延层的掺杂类型相同；漏区，在第一方向上位于沟槽栅极结构的另一侧，漏区的掺杂类型和外延层的掺杂类型相同；掺杂区在第一方向上至少部分位于源区远离沟槽栅极结构的一侧，掺杂区的掺杂类型和外延层的掺杂类型不同；金属层，位于外延层远离衬底的表面上，金属层包括源极金属部和漏极金属部。MOSFET器件可以适用于CSP封装的要求。
-
公开(公告)号：CN118571943A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411041294.2
申请日：2024-07-31
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOSFET器件及其制备方法，该器件包括至少一组第一栅沟槽结构和第二栅沟槽结构，第一栅沟槽结构和第二栅沟槽结构均包括栅氧层、承压层和栅极，承压层设置在栅极的第一侧面和底部，栅氧层设置在栅极的第二侧面，栅氧层分别与外延层、第一注入区和源区接触；还包括位于第一栅沟槽结构和第二栅沟槽结构之间的整流结构，整流结构包括连接部和外延区域，外延区域与连接部形成电学连接，外延区域为位于第一栅沟槽结构和第二栅沟槽结构之间且与第一承压层和第二承压层接触的外延层的一部分。采用MOSFET器件解决现有技术中体二极管的MOSFET器件导通特性发生退化导致半导体器件损坏和外接SBD增加成本的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.051 seconds)
