公开(公告)号：CN120076373A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510529941.2

申请日：2025-04-25

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 向坤 ,  马万里 ,  刘浩文 ,  肖帅 ,  闫正坤 ,  谭键文

IPC: H10D30/63 ,  H10D30/01 ,  H10D62/10 ,  H10D62/13

Abstract: 本申请提供了一种MOSFET器件及其制备方法，该器件包括至少一个第一区域，包括第一掺杂区、第二掺杂区和第一体区，第一掺杂区位于外延层背离衬底一侧，第二掺杂区环绕第一掺杂区的外周，第一体区位于第二掺杂区靠近衬底的一侧，第一区域与MOSFET器件的源极接触；多个第二区域分布在第一区域的外周，第二区域包括外延区域、第三掺杂区和第二体区，第二体区环绕外延区域的外周，第三掺杂区位于第二体区背离外延区域的一侧，其中，第一体区与第二体区接触，第三掺杂区与第二掺杂区接触，第二区域与MOSFET器件的栅极结构接触，以解决现有技术中MOSFET器件导通电阻较大和面积不能优化的问题。