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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106601643B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201611006135.4
申请日：2016-11-15
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种芯片的MOS工艺角的测量方法、装置和系统。其中，该方法包括：检测待测量芯片的驱动电压，其中，驱动电压为待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；判断驱动电压是否处于稳定状态；在驱动电压处于稳定状态时比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，工艺角判断阈值用于区分待测量芯片的工艺角的类型；根据比较结果确定芯片的MOS工艺角。本发明解决了现有测量芯片的MOS工艺角的方法比较复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN106601643A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611006135.4
申请日：2016-11-15
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/14
Abstract: 本发明公开了一种芯片的MOS工艺角的测量方法、装置和系统。其中，该方法包括：检测待测量芯片的驱动电压，其中，驱动电压为待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；判断驱动电压是否处于稳定状态；在驱动电压处于稳定状态时比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，工艺角判断阈值用于区分待测量芯片的工艺角的类型；根据比较结果确定芯片的MOS工艺角。本发明解决了现有测量芯片的MOS工艺角的方法比较复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN106774594B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710083188.4
申请日：2017-02-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供一种低温漂基准电压电路，该电路包括第一电压单元，第二电压单元和K倍放大单元；第一电压单元，用于产生第一电压，其第一端接地；K倍放大单元，用于将第一电压放大K倍，其第一端与第一电压单元的第二端连接，第二端与第二电压单元的第一端连接，其中，K为大于零的常数；第二电压单元，用于产生第二电压，其第一端接入电流源电路，第二端与第一电压单元的第三端连接后作为基准电压的输出端。其使输出的基准电压与温度相关性极低，且其电路结构设计简单，所需的器件类型极少，极大地减小了设计难度和风险，具有非常高的实用性和通用性。
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公开(公告)号：CN106774594A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710083188.4
申请日：2017-02-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G05F1/567
CPC classification number: G05F1/567
Abstract: 本发明提供一种低温漂基准电压电路，该电路包括第一电压单元，第二电压单元和K倍放大单元；第一电压单元，用于产生第一电压，其第一端接地；K倍放大单元，用于将第一电压放大K倍，其第一端与第一电压单元的第二端连接，第二端与第二电压单元的第一端连接，其中，K为大于零的常数；第二电压单元，用于产生第二电压，其第一端接入电流源电路，第二端与第一电压单元的第三端连接后作为基准电压的输出端。其使输出的基准电压与温度相关性极低，且其电路结构设计简单，所需的器件类型极少，极大地减小了设计难度和风险，具有非常高的实用性和通用性。
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公开(公告)号：CN206479868U
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201720143413.4
申请日：2017-02-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本实用新型提供一种低温漂基准电压电路，该电路包括第一电压单元，第二电压单元和K倍放大单元；第一电压单元，用于产生第一电压，其第一端接地；K倍放大单元，用于将第一电压放大K倍，其第一端与第一电压单元的第二端连接，第二端与第二电压单元的第一端连接，其中，K为大于零的常数；第二电压单元，用于产生第二电压，其第一端接入电流源电路，第二端与第一电压单元的第三端连接后作为基准电压的输出端。其使输出的基准电压与温度相关性极低，且其电路结构设计简单，所需的器件类型极少，极大地减小了设计难度和风险，具有非常高的实用性和通用性。
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