公开(公告)号：CN106601643B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201611006135.4

申请日：2016-11-15

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 彭新朝 ,  易冬柏 ,  张亮 ,  徐以军 ,  冯玉明 ,  李建勋 ,  殷惠萍 ,  谢育桦 ,  周佳

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种芯片的MOS工艺角的测量方法、装置和系统。其中，该方法包括：检测待测量芯片的驱动电压，其中，驱动电压为待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；判断驱动电压是否处于稳定状态；在驱动电压处于稳定状态时比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，工艺角判断阈值用于区分待测量芯片的工艺角的类型；根据比较结果确定芯片的MOS工艺角。本发明解决了现有测量芯片的MOS工艺角的方法比较复杂的技术问题。

公开(公告)号：CN106601643A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611006135.4

申请日：2016-11-15

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 彭新朝 ,  易冬柏 ,  张亮 ,  徐以军 ,  冯玉明 ,  李建勋 ,  殷惠萍 ,  谢育桦 ,  周佳

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/14

Abstract: 本发明公开了一种芯片的MOS工艺角的测量方法、装置和系统。其中，该方法包括：检测待测量芯片的驱动电压，其中，驱动电压为待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；判断驱动电压是否处于稳定状态；在驱动电压处于稳定状态时比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，工艺角判断阈值用于区分待测量芯片的工艺角的类型；根据比较结果确定芯片的MOS工艺角。本发明解决了现有测量芯片的MOS工艺角的方法比较复杂的技术问题。