公开(公告)号：CN115857606A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202111116306.X

申请日：2021-09-23

Applicant: 珠海一微半导体股份有限公司

Inventor： 向耀明 ,  赵伟兵 ,  滕庆宇

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开一种低功耗的基准电压源，该低功耗的基准电压源包括：偏置补偿电路，包括N级PMOS管，用于为基准电压源提供偏置电流；基准电压输出电路，包括N级自共源共栅结构，用于产生并输出基准电压；其中，所述偏置补偿电路的N个输出端与所述基准电压输出电路的N个输入端对应连接；N为大于或等于2的整数。本发明采用全CMOS结构的基准电压源，只需要较低的电源电压和较小的偏置电流，同时，无需设置电阻器件，大幅减少占用芯片面积，提高芯片利用率，基准电压输出电路中采用同一类型的MOS晶体管，利用N级自共源共栅结构的堆叠，降低基准电压源功耗的同时实现输出基准电压可调节。

公开(公告)号：CN215769517U

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202122304457.X

申请日：2021-09-23

Applicant: 珠海一微半导体股份有限公司

Inventor： 向耀明 ,  赵伟兵 ,  滕庆宇

IPC: G05F1/567

Abstract: 本实用新型公开一种低功耗的基准电压源，该低功耗的基准电压源包括：偏置补偿电路，包括N级PMOS管，用于为基准电压源提供偏置电流；基准电压输出电路，包括N级自共源共栅结构，用于产生并输出基准电压；其中，所述偏置补偿电路的N个输出端与所述基准电压输出电路的N个输入端对应连接；N为大于或等于2的整数。本实用新型采用全CMOS结构的基准电压源，只需要较低的电源电压和较小的偏置电流，同时，无需设置电阻器件，大幅减少占用芯片面积，提高芯片利用率，基准电压输出电路中采用同一类型的MOS晶体管，利用N级自共源共栅结构的堆叠，降低基准电压源功耗的同时实现输出基准电压可调节。