半导体器件内的缓冲电路的连接器件和使用其的功率模块

    公开(公告)号:CN113690215A

    公开(公告)日:2021-11-23

    申请号:CN202011606975.0

    申请日:2020-12-28

    Inventor: 日吉道明

    Abstract: 本申请公开了半导体器件内的缓冲电路的连接器件和使用其的功率模块,该连接器件包括:第一基板,具有第一电极布线;第二基板,面向第一基板,该第二基板具有面向该第一电极布线的第二电极布线;以及堆叠陶瓷电容器,具有分别设置在堆叠陶瓷电容器的相对端上的连接端子,该堆叠陶瓷电容器以这样的方式以竖直位置安装:连接端子的整个表面分别连接到第一和第二电极布线,其中堆叠陶瓷电容器与附接在第一基板上的开关元件邻近地安装,并且连接端子与开关元件上的一个电极端子连接,第一电极布线介于其间。

    沸腾冷却装置
    2.
    发明公开
    沸腾冷却装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN110530181A

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201811509580.1

    申请日:2018-12-11

    Inventor: 日吉道明

    Abstract: 本发明涉及一种沸腾冷却装置。所述沸腾冷却装置包括功率半导体,其竖直设置;散热板,其设置在功率半导体的两侧面上;热接收护套,其设置在功率半导体的两侧并覆盖散热板;制冷剂,其填充在热接收护套中并与散热板接触;冷凝器,其连接至热接收护套;以及细纵向凹槽,其在散热板的散热面上形成并沿竖直方向延伸,其中通过功率半导体中产生的热量和细纵向凹槽而促进气泡的产生,所产生的气泡上升并穿过前管然后到达冷凝器以液化,使得液体经由回管返回至热接收护套。

    半导体子组件和半导体功率模块

    公开(公告)号:CN111081667B

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN201910987632.4

    申请日:2019-10-17

    Abstract: 本发明涉及半导体子组件和半导体功率模块,其能够具有减小的芯片厚度和减小的热阻。该半导体子组件包括单个或多个半导体芯片,所述半导体芯片具有形成在其下表面上的第一电极,形成在其上表面上的第二电极以及形成在其上表面的一个端部处的多个芯片侧信号电极焊垫。半导体芯片嵌入在嵌入式结构中,并且多个扩展信号电极焊垫相应地连接至芯片侧信号电极焊垫。当在平面上观察时,扩展信号电极焊垫以大于芯片侧信号电极焊垫的尺寸形成在嵌入式基板上。

    功率模块及其制造方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107845615B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN201710842728.2

    申请日:2017-09-18

    Inventor: 日吉道明

    Abstract: 本发明公开一种功率模块,其包括:衬底;功率转换芯片,其被设置在衬底的一个表面上;以及辐射构件,其接合至衬底的另一表面。辐射构件具有被配置成与衬底的另一表面接触的接触表面,并且包括在接触表面内以便熔合到衬底的另一表面的熔融区域。

    半导体子组件和半导体功率模块

    公开(公告)号:CN111081667A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201910987632.4

    申请日:2019-10-17

    Abstract: 本发明涉及半导体子组件和半导体功率模块,其能够具有减小的芯片厚度和减小的热阻。该半导体子组件包括单个或多个半导体芯片,所述半导体芯片具有形成在其下表面上的第一电极,形成在其上表面上的第二电极以及形成在其上表面的一个端部处的多个芯片侧信号电极焊垫。半导体芯片嵌入在嵌入式结构中,并且多个扩展信号电极焊垫相应地连接至芯片侧信号电极焊垫。当在平面上观察时,扩展信号电极焊垫以大于芯片侧信号电极焊垫的尺寸形成在嵌入式基板上。

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