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公开(公告)号：CN108240843B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201711433716.0
申请日：2017-12-26
Applicant: 现代凯菲克株式会杜
Inventor： 金致渊
Abstract: 提供了一种传感器元件，其通过提供与特定方向的延伸长度相对应的电阻变化长度比率而具有高测量精度。该传感器元件包括布置在传感器主体中的用以测量温度和压力并且具有基于温度或压力而变形的膜片的元件主体。另外，该传感器元件包括压力测量电阻器，其包括相对于膜片的上表面的中心沿着径向并且在膜片的上表面上的延伸部中布置的第二电阻器部分和第四电阻器部分，并且包括在所述膜片的上表面上的压缩部中布置在所述第二电阻器部分或所述第四电阻器部分外侧的第一电阻器部分和第三电阻器部分，以消除由特定压力的温度变化所引起的电阻变化。
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公开(公告)号：CN113086942A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202011491189.0
申请日：2020-12-16
Applicant: 现代凯菲克株式会杜
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法，本发明提供的半导体器件的制造方法包括：通过对第一基板的一侧表面进行蚀刻来形成中空槽的步骤；在形成有上述中空槽的上述第一基板的一侧表面附着包括硅层的第二基板的步骤；通过对上述第二基板进行蚀刻来仅保留硅层的步骤；在上述第二基板的硅层表面形成由至少一个层组成的薄膜结构的步骤；以及从上述第一基板分离形成薄膜结构的上述第二基板的步骤，由此，在半导体器件的工序过程中，通过在器件的下部形成中空槽结构来最终便于进行器件分离。
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公开(公告)号：CN113086942B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202011491189.0
申请日：2020-12-16
Applicant: 现代凯菲克株式会杜
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法，本发明提供的半导体器件的制造方法包括：通过对第一基板的一侧表面进行蚀刻来形成中空槽的步骤；在形成有上述中空槽的上述第一基板的一侧表面附着包括硅层的第二基板的步骤；通过对上述第二基板进行蚀刻来仅保留硅层的步骤；在上述第二基板的硅层表面形成由至少一个层组成的薄膜结构的步骤；以及从上述第一基板分离形成薄膜结构的上述第二基板的步骤，由此，在半导体器件的工序过程中，通过在器件的下部形成中空槽结构来最终便于进行器件分离。
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公开(公告)号：CN108240843A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711433716.0
申请日：2017-12-26
Applicant: 现代凯菲克株式会杜
Inventor： 金致渊
CPC classification number: G01L9/045 , G01K7/16 , G01L9/0042 , G01L9/0054 , G01L19/0092
Abstract: 提供了一种传感器元件，其通过提供与特定方向的延伸长度相对应的电阻变化长度比率而具有高测量精度。该传感器元件包括布置在传感器主体中的用以测量温度和压力并且具有基于温度或压力而变形的膜片的元件主体。另外，该传感器元件包括压力测量电阻器，其包括相对于膜片的上表面的中心沿着径向并且在膜片的上表面上的延伸部中布置的第二电阻器部分和第四电阻器部分，并且包括在所述膜片的上表面上的压缩部中布置在所述第二电阻器部分或所述第四电阻器部分外侧的第一电阻器部分和第三电阻器部分，以消除由特定压力的温度变化所引起的电阻变化。
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