公开(公告)号：CN113086942B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202011491189.0

申请日：2020-12-16

Applicant: 现代凯菲克株式会杜

Inventor： 崔准桓 ,  金致渊

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法，本发明提供的半导体器件的制造方法包括：通过对第一基板的一侧表面进行蚀刻来形成中空槽的步骤；在形成有上述中空槽的上述第一基板的一侧表面附着包括硅层的第二基板的步骤；通过对上述第二基板进行蚀刻来仅保留硅层的步骤；在上述第二基板的硅层表面形成由至少一个层组成的薄膜结构的步骤；以及从上述第一基板分离形成薄膜结构的上述第二基板的步骤，由此，在半导体器件的工序过程中，通过在器件的下部形成中空槽结构来最终便于进行器件分离。

公开(公告)号：CN113086942A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202011491189.0

申请日：2020-12-16

Applicant: 现代凯菲克株式会杜

Inventor： 崔准桓 ,  金致渊

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法，本发明提供的半导体器件的制造方法包括：通过对第一基板的一侧表面进行蚀刻来形成中空槽的步骤；在形成有上述中空槽的上述第一基板的一侧表面附着包括硅层的第二基板的步骤；通过对上述第二基板进行蚀刻来仅保留硅层的步骤；在上述第二基板的硅层表面形成由至少一个层组成的薄膜结构的步骤；以及从上述第一基板分离形成薄膜结构的上述第二基板的步骤，由此，在半导体器件的工序过程中，通过在器件的下部形成中空槽结构来最终便于进行器件分离。