公开(公告)号：CN108254070B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201711125727.2

申请日：2017-11-15

Applicant: 环球通信半导体有限责任公司

Inventor： 王志鸿 ,  P·劳 ,  D·库马尔

IPC: G01J1/42 ,  G01J1/44 ,  H04B10/25

Abstract: 本申请涉及边缘耦合的半导体光电探测器。公开了一种用于监测来自激光二极管的功率的器件。该器件包括具有顶表面和与顶表面垂直的第一面的基板，其中，光通过第一面进入基板。该器件还包括第二面，沿与第一面非正交的光轴通过第一面进入基板的光入射到第二面上。该器件还包括制造在基板的顶表面上的光电二极管，光电二极管用于测量沿与第一面非正交的光轴进入基板的第一面的光的强度。沿与第一面非正交的光轴通过第一面进入基板的光被第二面朝光电二极管的光活性区域反射。

公开(公告)号：CN108254070A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711125727.2

申请日：2017-11-15

Applicant: 环球通信半导体有限责任公司

Inventor： 王志鸿 ,  P·劳 ,  D·库马尔

IPC: G01J1/42 ,  G01J1/44 ,  H04B10/25

CPC classification number: G01J1/0414 ,  G01J1/0209 ,  G01J1/0214 ,  G01J1/0242 ,  G01J1/0448 ,  G01J1/4257 ,  G02B6/4286 ,  H01S5/0683 ,  G01J1/42 ,  G01J1/44 ,  G01J2001/4247 ,  G01J2001/446 ,  H04B10/25

Abstract: 本申请涉及边缘耦合的半导体光电探测器。公开了一种用于监测来自激光二极管的功率的器件。该器件包括具有顶表面和与顶表面垂直的第一面的基板，其中，光通过第一面进入基板。该器件还包括第二面，沿与第一面非正交的光轴通过第一面进入基板的光入射到第二面上。该器件还包括制造在基板的顶表面上的光电二极管，光电二极管用于测量沿与第一面非正交的光轴进入基板的第一面的光的强度。沿与第一面非正交的光轴通过第一面进入基板的光被第二面朝光电二极管的光活性区域反射。