公开(公告)号：CN108254070B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201711125727.2

申请日：2017-11-15

Applicant: 环球通信半导体有限责任公司

Inventor： 王志鸿 ,  P·劳 ,  D·库马尔

IPC: G01J1/42 ,  G01J1/44 ,  H04B10/25

Abstract: 本申请涉及边缘耦合的半导体光电探测器。公开了一种用于监测来自激光二极管的功率的器件。该器件包括具有顶表面和与顶表面垂直的第一面的基板，其中，光通过第一面进入基板。该器件还包括第二面，沿与第一面非正交的光轴通过第一面进入基板的光入射到第二面上。该器件还包括制造在基板的顶表面上的光电二极管，光电二极管用于测量沿与第一面非正交的光轴进入基板的第一面的光的强度。沿与第一面非正交的光轴通过第一面进入基板的光被第二面朝光电二极管的光活性区域反射。

公开(公告)号：CN108075743B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN201711127532.1

申请日：2017-11-15

Applicant: 环球通信半导体有限责任公司

Inventor： R·B·斯托克斯 ,  A·M·康 ,  侯立平 ,  D-J·玄 ,  王兴国

IPC: H03H9/02 ,  H03H3/02

Abstract: 本公开涉及具有杂散谐振抑制的膜体声谐振器。描述了设备和用于制备设备的过程，用于减少体声谐振器中的杂散波的谐振。第一电极耦合到压电层的第一侧，并且第二电极耦合到压电层的第二侧。压电层被配置为响应于施加在第一电极和第二电极之间的电信号而谐振。第一电极、压电层和/或第二电极中的穿孔，和/或支撑第二电极的柱或梁，减少了杂散波的谐振。

公开(公告)号：CN108254070A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711125727.2

申请日：2017-11-15

Applicant: 环球通信半导体有限责任公司

Inventor： 王志鸿 ,  P·劳 ,  D·库马尔

IPC: G01J1/42 ,  G01J1/44 ,  H04B10/25

CPC classification number: G01J1/0414 ,  G01J1/0209 ,  G01J1/0214 ,  G01J1/0242 ,  G01J1/0448 ,  G01J1/4257 ,  G02B6/4286 ,  H01S5/0683 ,  G01J1/42 ,  G01J1/44 ,  G01J2001/4247 ,  G01J2001/446 ,  H04B10/25

Abstract: 本申请涉及边缘耦合的半导体光电探测器。公开了一种用于监测来自激光二极管的功率的器件。该器件包括具有顶表面和与顶表面垂直的第一面的基板，其中，光通过第一面进入基板。该器件还包括第二面，沿与第一面非正交的光轴通过第一面进入基板的光入射到第二面上。该器件还包括制造在基板的顶表面上的光电二极管，光电二极管用于测量沿与第一面非正交的光轴进入基板的第一面的光的强度。沿与第一面非正交的光轴通过第一面进入基板的光被第二面朝光电二极管的光活性区域反射。

公开(公告)号：CN108075743A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711127532.1

申请日：2017-11-15

Applicant: 环球通信半导体有限责任公司

Inventor： R·B·斯托克斯 ,  A·M·康 ,  侯立平 ,  D-J·玄 ,  王兴国

IPC: H03H9/02 ,  H03H3/02

CPC classification number: H03H9/02086 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02047 ,  H03H9/02062 ,  H03H9/132 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/0207 ,  H03H2003/023

Abstract: 本公开涉及具有杂散谐振抑制的膜体声谐振器。描述了设备和用于制备设备的过程，用于减少体声谐振器中的杂散波的谐振。第一电极耦合到压电层的第一侧，并且第二电极耦合到压电层的第二侧。压电层被配置为响应于施加在第一电极和第二电极之间的电信号而谐振。第一电极、压电层和/或第二电极中的穿孔，和/或支撑第二电极的柱或梁，减少了杂散波的谐振。