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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100594663C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200480020477.0
申请日：2004-08-03
Applicant: 爱普生拓优科梦株式会社 , 日本电气电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0811 , H01L27/0808 , H03B5/04 , H03B5/366
Abstract: 改进了使用蓄积型MOS电容元件的传统压电振荡器中频率稳定性对于时间的劣化。使用P沟道晶体管型或者N沟道晶体管型作为压电振荡器中所使用的可变电容电路中的MOS电容元件。在形成在源区和漏区中的P型或者N型引出电极与设置在N阱区中的N型引出电极或者设置在P阱区中的P型引出电极之间提供偏压。由此消除了MOS电容元件中对于时间的不稳定性。
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公开(公告)号：CN100488027C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200610056897.5
申请日：2006-03-09
Applicant: 爱普生拓优科梦株式会社
Abstract: 为了使MOS型变容二极管的非线性的电容变化接近于理想的3次函数，提供了一种将高次函数特性与线性的控制电压的特性进行合成以提高温度补偿精度的温度补偿型压电振荡器。该温度补偿电压发生电路(110)包括：温度传感器(温度检测部)(81)；高温1次电压增益调整电路(高温1次电压生成单元)(82)；高温高次电压增益调整电路(高温高次电压生成单元)(83)；合成电路(高温电压合成单元)(86)；低温1次电压增益调整电路(低温1次电压生成单元)(84)；低温高次电压增益调整电路(低温高次电压生成单元)(85)；以及合成电路(低温电压合成单元)(87)。
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公开(公告)号：CN101436846A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810174802.9
申请日：2008-10-31
Applicant: 爱普生拓优科梦株式会社
Inventor： 石川匡亨
CPC classification number: H03B5/366
Abstract: 本发明提供一种使用相同IC来应对频率范围较宽的压电振荡器。该压电振荡器构成为包括压电振子、振荡电路、恒流电路和存储器电路，所述振荡电路在晶体管的集电极和基极之间具有确定集电极电位的第1可变电阻电路，所述恒流电路由多个电流镜电路构成，向与输出电流相关的电流镜电路的晶体管元件连接第2可变电阻电路，所述存储器电路的输出部通过信号线与所述振荡电路的第1可变电阻电路和所述恒流电路的第2可变电阻电路连接，控制所述恒流电路的输出电流，并控制所述晶体管的集电极电位。
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公开(公告)号：CN1832332A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610056897.5
申请日：2006-03-09
Applicant: 爱普生拓优科梦株式会社
Abstract: 为了使MOS型变容二极管的非线性的电容变化接近于理想的3次函数，提供了一种将高次函数特性与线性的控制电压的特性进行合成以提高温度补偿精度的温度补偿型压电振荡器。该温度补偿电压发生电路(110)包括：温度传感器(温度检测部)(81)；高温1次电压增益调整电路(高温1次电压生成单元)(82)；高温高次电压增益调整电路(高温高次电压生成单元)(83)；合成电路(高温电压合成单元)(86)；低温1次电压增益调整电路(低温1次电压生成单元)(84)；低温高次电压增益调整电路(低温高次电压生成单元)(85)；以及合成电路(低温电压合成单元)(87)。
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公开(公告)号：CN1823468A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480020477.0
申请日：2004-08-03
Applicant: 东洋通信机株式会社 , 日本电气电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0811 , H01L27/0808 , H03B5/04 , H03B5/366
Abstract: 改进了使用蓄积型MOS电容元件的传统压电振荡器中频率稳定性对于时间的劣化。使用P沟道晶体管型或者N沟道晶体管型作为压电振荡器中所使用的可变电容电路中的MOS电容元件。在形成在源区和漏区中的P型或者N型引出电极与设置在N阱区中的N型引出电极或者设置在P阱区中的P型引出电极之间提供偏压。由此消除了MOS电容元件中对于时间的不稳定性。
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