公开(公告)号：CN1823468A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200480020477.0

申请日：2004-08-03

Applicant: 东洋通信机株式会社 ,  日本电气电子株式会社

Inventor： 大岛刚 ,  黑后重久 ,  石川匡亨 ,  黑泽晋 ,  藤本裕希 ,  中柴康隆

IPC: H03B5/32 ,  H03B5/36 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0811 ,  H01L27/0808 ,  H03B5/04 ,  H03B5/366

Abstract: 改进了使用蓄积型MOS电容元件的传统压电振荡器中频率稳定性对于时间的劣化。使用P沟道晶体管型或者N沟道晶体管型作为压电振荡器中所使用的可变电容电路中的MOS电容元件。在形成在源区和漏区中的P型或者N型引出电极与设置在N阱区中的N型引出电极或者设置在P阱区中的P型引出电极之间提供偏压。由此消除了MOS电容元件中对于时间的不稳定性。

公开(公告)号：CN100594663C

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200480020477.0

申请日：2004-08-03

Applicant: 爱普生拓优科梦株式会社 ,  日本电气电子株式会社

Inventor： 大岛刚 ,  黑后重久 ,  石川匡亨 ,  黑泽晋 ,  藤本裕希 ,  中柴康隆

IPC: H03B5/32 ,  H03B5/36 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0811 ,  H01L27/0808 ,  H03B5/04 ,  H03B5/366

Abstract: 改进了使用蓄积型MOS电容元件的传统压电振荡器中频率稳定性对于时间的劣化。使用P沟道晶体管型或者N沟道晶体管型作为压电振荡器中所使用的可变电容电路中的MOS电容元件。在形成在源区和漏区中的P型或者N型引出电极与设置在N阱区中的N型引出电极或者设置在P阱区中的P型引出电极之间提供偏压。由此消除了MOS电容元件中对于时间的不稳定性。