公开(公告)号：CN102623887B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210064970.9

申请日：2012-01-13

Applicant: 燕山大学

Inventor： 李志全 ,  牛力勇 ,  孙宇超 ,  李欣 ,  李文超 ,  沙晓鹏

IPC: H01S4/00

Abstract: 本发明公开了一种SP波信号放大器，包括基底、金属层和沉积介质层；金属层位于基底和沉积介质层之间，其顶面与沉积介质层的底面连接，底面与基底的顶面连接；金属层的顶面开有贯通两侧的波导；波导的侧壁上开有增益槽，增益槽的宽度为1~1.5μm，增益槽内填充有增益介质和饱和吸收体；放大器还包括泵浦光发射装置，用于发射激发增益介质的泵浦光。本发明还公开了一种SP波信号放大器的制作方法。本发明能够对SP波导传输的SP波实现超快信号放大，从而增加了SP波的传播长度。

公开(公告)号：CN108183160B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201810005283.7

申请日：2018-01-03

Applicant: 燕山大学

Inventor： 李志全 ,  谢锐杰 ,  牛力勇 ,  郭士亮 ,  白兰迪 ,  刘同磊

IPC: H01L33/60

Abstract: 本发明公开了一种高发光效率氮化物LED器件，LED材料为蓝宝石基底，在蓝宝石基底上依次逐层生长GaN外延缓冲层、N‑GaN层、InGaN/GaN MQWs、P‑GaN层和、ITO层；在p‑GaN层刻蚀周期性等腰三角形光栅结构，在p‑GaN光栅结构上沉积一层ITO作为过渡层；在ITO层的表层刻蚀周期性等腰三角形结构，在ITO表层的等腰三角形光栅之间制作20nm厚的Ag光栅以激发SP；在ITO层表面蒸镀金属制作P型电极，在n‑GaN层制作N型电极。本发明能够提高LED的内量子效率和光提取率，还能降低器件载流子寿命，提高发光效率。

公开(公告)号：CN108183160A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201810005283.7

申请日：2018-01-03

Applicant: 燕山大学

Inventor： 李志全 ,  谢锐杰 ,  牛力勇 ,  郭士亮 ,  白兰迪 ,  刘同磊

IPC: H01L33/60

CPC classification number: H01L33/60

Abstract: 本发明公开了一种高发光效率氮化物LED器件，LED材料为蓝宝石基底，在蓝宝石基底上依次逐层生长GaN外延缓冲层、N-GaN层、InGaN/GaN MQWs、P-GaN层和、ITO层；在p-GaN层刻蚀周期性等腰三角形光栅结构，在p-GaN光栅结构上沉积一层ITO作为过渡层；在ITO层的表层刻蚀周期性等腰三角形结构，在ITO表层的等腰三角形光栅之间制作20nm厚的Ag光栅以激发SP；在ITO层表面蒸镀金属制作P型电极，在n-GaN层制作N型电极。本发明能够提高LED的内量子效率和光提取率，还能降低器件载流子寿命，提高发光效率。

公开(公告)号：CN104020139A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410239945.9

申请日：2014-05-30

Applicant: 燕山大学

Inventor： 李志全 ,  朱君 ,  赵玲玲 ,  严蕾 ,  孟晓云 ,  牛力勇

IPC: G01N21/55

Abstract: 本发明涉及一种衍射光栅输入输出的表面等离子共振传感器，包括衍射光栅与金属三角纳米粒子形成的波导结构，其特征是：所述波导结构是由排列在衍射光栅抗蚀层上的金属三角纳米粒子构成；金属三角纳米粒子的形成首先是通过在抗蚀层上利用尺寸分散的聚丙乙烯纳米球进行自组装形成淀积掩膜，然后金属通过高温或电子束蒸发的方法溅射到纳米球层中，再通过清洗移除聚丙乙烯纳米球后，残留的金属即形成排列好的三角纳米粒子。其优点是：在充分发挥SPR技术优势的同时，不再拘泥于SPR传感器仅仅作为单一器件实现生物信号测量，衍射光栅结构提供了技术集成的基础，且以现有制备技术而言，易于实现。