公开(公告)号：CN108183160A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201810005283.7

申请日：2018-01-03

Applicant: 燕山大学

Inventor： 李志全 ,  谢锐杰 ,  牛力勇 ,  郭士亮 ,  白兰迪 ,  刘同磊

IPC: H01L33/60

CPC classification number: H01L33/60

Abstract: 本发明公开了一种高发光效率氮化物LED器件，LED材料为蓝宝石基底，在蓝宝石基底上依次逐层生长GaN外延缓冲层、N-GaN层、InGaN/GaN MQWs、P-GaN层和、ITO层；在p-GaN层刻蚀周期性等腰三角形光栅结构，在p-GaN光栅结构上沉积一层ITO作为过渡层；在ITO层的表层刻蚀周期性等腰三角形结构，在ITO表层的等腰三角形光栅之间制作20nm厚的Ag光栅以激发SP；在ITO层表面蒸镀金属制作P型电极，在n-GaN层制作N型电极。本发明能够提高LED的内量子效率和光提取率，还能降低器件载流子寿命，提高发光效率。

公开(公告)号：CN108183160B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201810005283.7

申请日：2018-01-03

Applicant: 燕山大学

Inventor： 李志全 ,  谢锐杰 ,  牛力勇 ,  郭士亮 ,  白兰迪 ,  刘同磊

IPC: H01L33/60

Abstract: 本发明公开了一种高发光效率氮化物LED器件，LED材料为蓝宝石基底，在蓝宝石基底上依次逐层生长GaN外延缓冲层、N‑GaN层、InGaN/GaN MQWs、P‑GaN层和、ITO层；在p‑GaN层刻蚀周期性等腰三角形光栅结构，在p‑GaN光栅结构上沉积一层ITO作为过渡层；在ITO层的表层刻蚀周期性等腰三角形结构，在ITO表层的等腰三角形光栅之间制作20nm厚的Ag光栅以激发SP；在ITO层表面蒸镀金属制作P型电极，在n‑GaN层制作N型电极。本发明能够提高LED的内量子效率和光提取率，还能降低器件载流子寿命，提高发光效率。