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公开(公告)号:CN118268871B
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202410447047.6
申请日:2024-04-15
Applicant: 燕山大学
IPC: B23P23/00
Abstract: 本发明涉及一种激光‑紫外光‑微波多能场耦合超精密加工系统及方法,包括数控机床,数控机床的动力系统与高速气浮主轴连接,所述高速气浮主轴与回转工作台连接,回转工作台连接有工件装夹件,数控机床的床身上设置有移动机构,移动机构可拆卸地连接有加工单元,所述加工单元有激光加工单元、紫外光加工单元、微波加工单元、车削加工单元和磨削加工单元,可复合成激光‑紫外光‑磨削加工系统及激光‑微波‑车削加工系统,采用本发明的多能场耦合加工系统可同时实现硬脆光电材料和软脆光电材料复杂形面和微结构的经济、高效、近无损伤超精密加工。
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公开(公告)号:CN118268871A
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202410447047.6
申请日:2024-04-15
Applicant: 燕山大学
IPC: B23P23/00
Abstract: 本发明涉及一种激光‑紫外光‑微波多能场耦合超精密加工系统及方法,包括数控机床,数控机床的动力系统与高速气浮主轴连接,所述高速气浮主轴与回转工作台连接,回转工作台连接有工件装夹件,数控机床的床身上设置有移动机构,移动机构可拆卸地连接有加工单元,所述加工单元有激光加工单元、紫外光加工单元、微波加工单元、车削加工单元和磨削加工单元,可复合成激光‑紫外光‑磨削加工系统及激光‑微波‑车削加工系统,采用本发明的多能场耦合加工系统可同时实现硬脆光电材料和软脆光电材料复杂形面和微结构的经济、高效、近无损伤超精密加工。
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公开(公告)号:CN118905775A
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202411153293.7
申请日:2024-08-21
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种硬脆半导体晶圆的微波背减加工系统与方法,包括高精度数控背减磨床与微波辐照单元,数控背减磨床搭载有两个高精度气浮主轴,所述的两个高速气浮主轴分别通过砂轮装夹件和工件装夹件与背减砂轮和工作台相连,实现砂轮的自旋转运动及待加工半导体晶圆的跟随旋转运动,数控背减磨床床身上搭载有一个高精度直线电机,所述直线电机与连接砂轮的高速气浮主轴相连,实现高精度进给;所述微波辐照单元可与背减砂轮加工单元复合成微波‑磨削旁轴背减加工系统及微波‑磨削同轴背减加工系统,采用本发明的微波背减加工系统可实现硬脆半导体晶圆的高效率、超精密“低温”塑性域磨削加工。
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