硅-碳化硅结构混合波导及其制备方法

    公开(公告)号:CN117930429A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202211265865.1

    申请日:2022-10-17

    Abstract: 一种硅‑碳化硅结构混合波导及其制备方法,制备得到的波导由上而下依次包括:氧化硅包层、硅波导层、碳化硅层、氧化硅掩埋层和硅衬底,该混合波导核心为:硅波导层、氧化硅包层和用于传输TE模或TM模的碳化硅层。本发明充分利用碳化硅材料的优良特性,通过离子切割和层转移技术制备,无需离子注入工艺,因此本发明的工艺与CMOS兼容。通过将光模场局限在碳化硅中使得其优良的光电学特性得以利用在传输过程中,碳化硅材料的优良特性可以克服传统硅的部分限制,并且与微电子CMOS工艺相兼容,制备过程较简单。

    硅基二氧化铪的表面等离子波导实现方法

    公开(公告)号:CN116859505A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202210312543.1

    申请日:2022-03-28

    Abstract: 一种硅基二氧化铪的表面等离子波导,其特征在于,由上而下依次为金层、二氧化铪层、硅层、掩埋氧化硅层和硅基层。本发明利用了二氧化铪的优良的光电特性和材料特性,采用单层金波导可以有效地增强光场和电场的相互作用,由于金波导对光模场有很强的束缚作用,因此波导结构占地面积小,可以有效减小电阻电容,从而提升调制器带宽。

Patent Agency Ranking