基于碳化硅片上集成的偏振分束旋转器

    公开(公告)号:CN118033817A

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202211409485.0

    申请日:2022-11-11

    Abstract: 一种基于碳化硅片上集成的偏振分束旋转器,包括:衬底以及依次设置于其上的掩埋氧化硅层、碳化硅层和设置于碳化硅层上的能够同时传播TE模和TM模的硅波导,该硅波导包括:一个绝热锥度结构和一个非对称定向耦合器,其中:绝热锥度结构在输入端为单模结构,而在另一端为多模结构。本发明通过将光模场局限在碳化硅中使得其优良的光电学特性得以利用在传输过程,利用碳化硅材料的优良特性克服传统硅的部分限制,通过离子切割和层转移技术制备,无需离子注入工艺且与CMOS兼容,制备过程较简单。

    基于碳化硅片上集成的偏振分束器

    公开(公告)号:CN118033816A

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202211409410.2

    申请日:2022-11-11

    Abstract: 一种基于碳化硅片上集成且同时传播TE模和TM模的偏振分束器,包括:硅衬底、碳化硅层、掩埋氧化硅层、输入波导、输出波导以及位于其间的中间波导,输入波导设置于中间波导上侧,输出波导设置于中间波导下侧,通过输出波导和中间波导满足TM模式的相位匹配条件而不满足TE模式的相位匹配条件以及输入波导、输出波导和中间波导之间的耦合实现偏振分束的极化处理。本发明充分利用碳化硅材料的优良特性以克服传统硅的部分限制,满足TM模式的相位匹配条件而不满足TE模式的相位匹配条件,再通过不同宽度的硅波导发生耦合,从而实现偏振分束的极化处理功能的同时与微电子CMOS工艺相兼容,制备过程较简单。

    基于拓扑慢光波导的薄膜铌酸锂电光调制器

    公开(公告)号:CN117031851A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202310915921.X

    申请日:2023-07-25

    Abstract: 一种基于拓扑慢光波导的薄膜铌酸锂电光调制器,包括:分段式电容型慢波电极和位于其上的一对平行设置的拓扑慢光波导,其中:拓扑慢光波导的两端分别设有多模干涉仪,本发明通过拓扑慢光效应的引入,增强光与介质的相互作用,增大光传输的群折射率,大大提高调制器的调制效率,另一方面,由于拓扑慢光效应引入导致电光速度失配,使得关键指标调制带宽受限。因此提出使用分段式电容型慢波电极,增大微波折射率,实现电光速度和阻抗的匹配,获得超大的调制带宽。

    主动式光伏组串电弧故障检测方法及系统

    公开(公告)号:CN111726079B

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202010559723.0

    申请日:2020-06-18

    Abstract: 本发明提供了一种主动式光伏组串电弧故障检测方法及系统,包括:主动注入信号步骤:主动产生高频信号,在光伏组串侧主动输出高频信号;电流信号采集步骤:在光伏组串侧的直流母线上测量电流信号并记录,获取光伏组串侧直流母线上电流信号信息;电弧故障判断步骤:根据光伏组串侧直流母线上电流信号信息,进行小波变换处理,分析小波变换处理后信号特征,将小波变换处理后信号特征与输入高频信号比较,判断光伏组串是否发生电弧故障,获取主动式光伏组串电弧故障检测结果信息。本发明在光伏组串侧进行检测,从根本上解决了逆变器噪声、不同运行工况对检测的影响。

    基于超表面结构的超紧凑硅波导模式转换器件

    公开(公告)号:CN111983754B

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN201910432113.1

    申请日:2019-05-23

    Abstract: 一种紧凑硅波导模式转换器,为基于具有倾斜的亚波长周期性扰动的电介质超曲面结构,包括:在SOI基片上蚀刻形状的若干个周期个数,周期为Λ、占空比、倾斜角度为θ的斜向亚波长扰动的顶层硅结构;本发明采用具有倾斜的亚波长扰动的全介质超表面结构,可以实现紧凑的基模到任意高阶模的硅波导模式转换,能够大幅度提升光通信容量。

    基于超表面结构的超紧凑硅波导模式转换器件

    公开(公告)号:CN111983754A

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN201910432113.1

    申请日:2019-05-23

    Abstract: 一种紧凑硅波导模式转换器,为基于具有倾斜的亚波长周期性扰动的电介质超曲面结构,包括:在SOI基片上蚀刻形状的若干个周期个数,周期为Λ、占空比、倾斜角度为θ的斜向亚波长扰动的顶层硅结构;本发明采用具有倾斜的亚波长扰动的全介质超表面结构,可以实现紧凑的基模到任意高阶模的硅波导模式转换,能够大幅度提升光通信容量。

    基于亚波长光栅结构的片上模式复用/解复用方法

    公开(公告)号:CN110320603A

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201810261833.1

    申请日:2018-03-28

    Abstract: 一种基于亚波长光栅结构的片上模式复用/解复用方法,包括:通过在SOI平台上加工得到七个级联的定向耦合器,每个定向耦合器包括一个条形波导和一个亚波长光栅状波导,将条形波导通过绝热锥体连接形成总线波导,然后从总线波导的输入端口入射TE0模的同时,选择性地从各个亚波长光栅波导输入基模,在定向耦合器中达到耦合条件成为对应的高阶模式,使得总线波导内同时存在多路信号实现模式复用或解复用。本发明将亚波长光栅结构运用到定向耦合器中,不仅实现了TE4到TE10等七种高阶模式复用,还大大减小了器件尺寸。

    基于硅基纳米梁环路结构的粗波分复用器

    公开(公告)号:CN106932862B

    公开(公告)日:2019-05-28

    申请号:CN201710259366.4

    申请日:2017-04-20

    Abstract: 一种基于硅基纳米梁环路结构的粗波分复用器及其应用,包括:纳米梁和定向耦合器,其中:纳米梁两侧分别与定向耦合器的两个波导相连,纳米梁为一根刻蚀有若干小孔的直波导,该纳米梁由两个反射镜形成一个法泊腔;通过改变纳米梁的腔长以改变粗波分复用器的中心波长和自由频谱范围。本发明避免了弯曲损耗,进一步减小了器件尺寸,实现了较大的FSR,因此适用于粗波分复用器。

    基于二维光子晶体慢光波导的薄膜铌酸锂电光调制器及其实现方法

    公开(公告)号:CN118707760A

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202410997649.9

    申请日:2024-07-24

    Abstract: 一种基于二维光子晶体慢光波导的薄膜铌酸锂电光调制器及其实现方法,其设置于铌酸锂绝缘氧化硅平台(LNOI)上,具体包括:一对平行设置的二维光子晶体慢光波导和分别设置于其间及外侧的三个分段式电容型慢波电极,其中:一对二维光子晶体慢光波导的两端分别与对应的多模干涉仪相连。本发明通过二维光子晶体波导引入慢光效应,降低光的群速度,增强光与介质的相互作用,提高调制器的调制效率的同时,使用分段式电容型慢波电极增大微波折射,实现电光速度以及阻抗的匹配,提高调制带宽。

    基于表面等离子体的微环电光调制器的设计和制备方法

    公开(公告)号:CN118550109A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410791887.4

    申请日:2024-06-19

    Abstract: 一种基于表面等离子体的微环电光调制器及其制备方法,包括:氧化硅层和铌酸锂层,其中:铌酸锂层上表面设有构成谐振环的欠耦合的硅跑道微环和直波导,直波导的两端分别为输入端和输出端,铌酸锂层中设有将光波转化为表面等离子体波的铌酸锂尖锥模式转换结构、铌酸锂脊波导和一对金电极,铌酸锂层和硅层之间设置用于光向上或向下传播的垂直耦合结构。本发明利用带有表面等离子体波导的硅微环,增强对光场的局域作用,显著提高调制器的调制效率,实现了大的带宽。同时设计过耦合微环,只有特定波长光耦合进入微环中,进行高速调制,削减了只靠表面等离子体传输带来的极大传输损耗。

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