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公开(公告)号:CN112374886A
公开(公告)日:2021-02-19
申请号:CN202011183719.5
申请日:2020-10-29
Applicant: 烟台大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域,具体涉及一种离子掺杂调控高品质因数微波介质陶瓷及制备方法。陶瓷的化学表达式为Ce2Zr3‑3xMgxSb2xMo9O36,其中0.02≤x≤0.08;采用固相合成法,将CeO2、ZrO2、MoO3、MgO和Sb2O5按化学表达式中的化学计量比配料、球磨、烘干、过筛后预烧;预烧粉末经二次球磨、烘干、过筛后进行造粒,再压制成坯体;坯体于700~850℃烧结。本发明微波介质陶瓷材料具有以下特点:微波品质因数(Q×f=49,033~71,748 GHz),介电常数(εr=10.03~10.46),谐振频率温度系数(τf=‑12.54~‑8.60 ppm/℃)。本发明制备工艺简单,在工业上具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN112374886B
公开(公告)日:2022-10-28
申请号:CN202011183719.5
申请日:2020-10-29
Applicant: 烟台大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域,具体涉及一种离子掺杂调控高品质因数微波介质陶瓷及制备方法。陶瓷的化学表达式为Ce2Zr3‑3xMgxSb2xMo9O36,其中0.02≤x≤0.08;采用固相合成法,将CeO2、ZrO2、MoO3、MgO和Sb2O5按化学表达式中的化学计量比配料、球磨、烘干、过筛后预烧;预烧粉末经二次球磨、烘干、过筛后进行造粒,再压制成坯体;坯体于700~850℃烧结。本发明微波介质陶瓷材料具有以下特点:微波品质因数(Q×f=49,033~71,748 GHz),介电常数(εr=10.03~10.46),谐振频率温度系数(τf=‑12.54~‑8.60 ppm/℃)。本发明制备工艺简单,在工业上具有广阔的应用前景。
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