公开(公告)号：CN115636661B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202211299228.6

申请日：2022-10-24

Applicant: 山东同方鲁颖电子有限公司 ,  烟台大学

Inventor： 陈月光 ,  吴海涛 ,  王士娇 ,  张玉平 ,  张力

IPC: C04B35/057 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明公开了一种复合离子掺杂调控低介硅酸盐微波介质陶瓷及制备方法，其化学通式为CaSi2−xMg(3+x)/3Nb2x/3O6，其中0.02≤x≤0.04。本发明通过控制Si、Mg和Nb三种元素的摩尔比2−x：(3+x)/3：2x/3对CaMgSi2O6陶瓷的Si位进行部分复合离子取代得到相应的低介硅酸盐微波介质材料，显著改善了CaMgSi2O6陶瓷的介电性能，得到了其介电常数εr=6.86~7.41，品质因数Q‧f=82,253~89,265 GHz，谐振频率温度系数τf=−26.07~−34.80 ppm/°C。本发明提供的微波介质陶瓷满足5G/6G高频通信的要求，且制备工艺简单，具有广阔的市场应用前景。

公开(公告)号：CN115636661A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211299228.6

申请日：2022-10-24

Applicant: 山东同方鲁颖电子有限公司 ,  烟台大学

Inventor： 陈月光 ,  吴海涛 ,  王士娇 ,  张玉平 ,  张力

IPC: C04B35/057 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明公开了一种复合离子掺杂调控低介硅酸盐微波介质陶瓷及制备方法，其化学通式为CaSi2−xMg(3+x)/3Nb2x/3O6，其中0.02≤x≤0.04。本发明通过控制Si、Mg和Nb三种元素的摩尔比2−x：(3+x)/3：2x/3对CaMgSi2O6陶瓷的Si位进行部分复合离子取代得到相应的低介硅酸盐微波介质材料，显著改善了CaMgSi2O6陶瓷的介电性能，得到了其介电常数εr=6.86~7.41，品质因数Q‧f=82,253~89,265 GHz，谐振频率温度系数τf=−26.07~−34.80 ppm/°C。本发明提供的微波介质陶瓷满足5G/6G高频通信的要求，且制备工艺简单，具有广阔的市场应用前景。

公开(公告)号：CN112374886A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202011183719.5

申请日：2020-10-29

Applicant: 烟台大学

Inventor： 吴海涛 ,  周旭 ,  刘林涛 ,  张潇予 ,  张玉平 ,  公丕军

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种离子掺杂调控高品质因数微波介质陶瓷及制备方法。陶瓷的化学表达式为Ce2Zr3‑3xMgxSb2xMo9O36，其中0.02≤x≤0.08；采用固相合成法，将CeO2、ZrO2、MoO3、MgO和Sb2O5按化学表达式中的化学计量比配料、球磨、烘干、过筛后预烧；预烧粉末经二次球磨、烘干、过筛后进行造粒，再压制成坯体；坯体于700～850℃烧结。本发明微波介质陶瓷材料具有以下特点：微波品质因数（Q×f=49,033~71,748 GHz）,介电常数（εr=10.03~10.46）,谐振频率温度系数（τf=‑12.54~‑8.60 ppm/℃）。本发明制备工艺简单，在工业上具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN117954679A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202410178546.X

申请日：2024-02-09

Applicant: 烟台大学 ,  青岛大学

Inventor： 张潇予 ,  刘杰科 ,  袁华 ,  姜付义 ,  杜伟 ,  吴海涛 ,  侯传信 ,  孙建超 ,  余志鹏 ,  韩晓娇 ,  陈帅 ,  冯逸飞 ,  韩江月

IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明公开了一种制备溴化锌涂覆固态电解质的方法及其应用，包括以下步骤；步骤1.将溴化锌溶解在乙醇或丙酮溶剂中作为溴化锌前体；步骤2.将LLZTO固态电解质置于实验装置中，调整声波传输路径，使声波能够准确到达LLZTO固态电解质表面；步骤3.将溴化锌前体引入声波传输路径，以便在声波的作用下均匀沉积在LLZTO表面，得到均匀涂覆溴化锌的LLZTO固态电解质。本发明利用超声波振动来实现涂层质量的方法。这一方法通过声波在材料表面引起的物理和化学效应，从而实现溴化锌在固态电解质表面沉积的过程。利用声波进行沉积在固态电解质学科中较为新颖，可以实现对薄膜沉积的定向操控，有望在纳米尺度上实现更精确的结构控制。

公开(公告)号：CN112374886B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202011183719.5

申请日：2020-10-29

Applicant: 烟台大学

Inventor： 吴海涛 ,  周旭 ,  刘林涛 ,  张潇予 ,  张玉平 ,  公丕军

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种离子掺杂调控高品质因数微波介质陶瓷及制备方法。陶瓷的化学表达式为Ce2Zr3‑3xMgxSb2xMo9O36，其中0.02≤x≤0.08；采用固相合成法，将CeO2、ZrO2、MoO3、MgO和Sb2O5按化学表达式中的化学计量比配料、球磨、烘干、过筛后预烧；预烧粉末经二次球磨、烘干、过筛后进行造粒，再压制成坯体；坯体于700～850℃烧结。本发明微波介质陶瓷材料具有以下特点：微波品质因数（Q×f=49,033~71,748 GHz）,介电常数（εr=10.03~10.46）,谐振频率温度系数（τf=‑12.54~‑8.60 ppm/℃）。本发明制备工艺简单，在工业上具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN112250441A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN202011168814.8

申请日：2020-10-28

Applicant: 烟台大学

Inventor： 吴海涛 ,  郑巾杰 ,  刘林涛 ,  张潇予 ,  张玉平 ,  公丕军

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

Abstract: 发明公开了低烧结温度介电性能可调的微波介质陶瓷及制备方法，其化学通式为Pr2Ti3‑xZrxMo9O36，其中0≤x≤2.7。制备工艺包括：配料、球磨、预烧合成、二次球磨、造粒、成型、排胶和烧结。本发明提供了一种新型稀土和钛的双钼酸盐微波介质陶瓷Pr2Ti3Mo9O36，并通过引入Zr4+调节了其介电性能。本发明中的微波介质陶瓷具有较低的烧结温度(650~800°C)、低介电常数(εr=10.7～16.4)、高的品质因数(Q•f＝18,700～80,700 GHz)及近零的谐振频率温度系数(τf=‑14.1～‑2.6 ppm/°C)。本发明提供的微波介质陶瓷可用于微波通讯系统中的介质谐振器、滤波器、天线等关键元器件，并使这些元器件适合更高频率下的应用。

公开(公告)号：CN118125816A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410238529.0

申请日：2024-03-04

Applicant: 烟台大学

Inventor： 吴海涛 ,  冯战百 ,  王东凤 ,  许翔宇

IPC: C04B35/22 ,  C04B35/20 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种复合离子掺杂优化低介高Q硅酸盐微波介质陶瓷及制备方法，其化学通式为Ca3Mg(Si1‑xMgx/3Nb2x/3)2O8，其中0.03≤x≤0.15。本发明通过控制SiO2、MgO和Nb2O5三种药品的摩尔比2‑2x∶1+2x/3∶2x/3对Ca3MgSi2O8陶瓷进行性能优化得到相应的低介硅酸盐微波介质材料，显著改善了Ca3MgSi2O8陶瓷的品质因数，得到了其介电常数εr＝6.79～7.71，品质因数Q·f＝135,389～169,302GHz，谐振频率温度系数τf＝‑47.34～‑57.33ppm/℃。本发明提供的低介高Q微波介质材料满足5G/6G高频通信的要求，且制备工艺简单，具有广阔的市场应用前景。

公开(公告)号：CN112250441B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202011168814.8

申请日：2020-10-28

Applicant: 烟台大学

Inventor： 吴海涛 ,  郑巾杰 ,  刘林涛 ,  张潇予 ,  张玉平 ,  公丕军

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

Abstract: 发明公开了低烧结温度介电性能可调的微波介质陶瓷及制备方法，其化学通式为Pr2Ti3‑xZrxMo9O36，其中0≤x≤2.7。制备工艺包括：配料、球磨、预烧合成、二次球磨、造粒、成型、排胶和烧结。本发明提供了一种新型稀土和钛的双钼酸盐微波介质陶瓷Pr2Ti3Mo9O36，并通过引入Zr4+调节了其介电性能。本发明中的微波介质陶瓷具有较低的烧结温度(650~800°C)、低介电常数(εr=10.7～16.4)、高的品质因数(Q•f＝18,700～80,700 GHz)及近零的谐振频率温度系数(τf=‑14.1～‑2.6 ppm/°C)。本发明提供的微波介质陶瓷可用于微波通讯系统中的介质谐振器、滤波器、天线等关键元器件，并使这些元器件适合更高频率下的应用。

公开(公告)号：CN117039130A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311037300.2

申请日：2023-08-17

Applicant: 烟台大学

Inventor： 张潇予 ,  姜付义 ,  杜伟 ,  吴海涛 ,  侯传信 ,  袁华 ,  孙建超 ,  余志鹏 ,  王尽欢 ,  韩晓娇 ,  陈帅 ,  冯逸飞 ,  童涛

IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/42 ,  H01M10/058

Abstract: 一种覆盖硫代氨基脲薄膜的固态电解质及其制备方法和应用，步骤1：将硫代氨基脲粉末溶解在溶剂中，得到硫代氨基脲溶液；步骤2：将固态电解质抛光后，用硫代氨基脲溶液浸泡固态电解质片，得到覆盖硫代氨基脲薄膜的固态电解质。本发明通过简单的在溶液中浸泡的方法，在LLZTO固态电解质表面附着一层硫代氨基脲，利用硫代氨基脲与锂金属之间的反应，使得LLZTO固态电解质与锂金属接触紧密；具有降低固态电解质与负极之间的界面电阻，提高抑制锂枝晶生长，改善循环性能的特点。