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公开(公告)号：CN112250441B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202011168814.8
申请日：2020-10-28
Applicant: 烟台大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 发明公开了低烧结温度介电性能可调的微波介质陶瓷及制备方法，其化学通式为Pr2Ti3‑xZrxMo9O36，其中0≤x≤2.7。制备工艺包括：配料、球磨、预烧合成、二次球磨、造粒、成型、排胶和烧结。本发明提供了一种新型稀土和钛的双钼酸盐微波介质陶瓷Pr2Ti3Mo9O36，并通过引入Zr4+调节了其介电性能。本发明中的微波介质陶瓷具有较低的烧结温度(650~800°C)、低介电常数(εr=10.7～16.4)、高的品质因数(Q•f＝18,700～80,700 GHz)及近零的谐振频率温度系数(τf=‑14.1～‑2.6 ppm/°C)。本发明提供的微波介质陶瓷可用于微波通讯系统中的介质谐振器、滤波器、天线等关键元器件，并使这些元器件适合更高频率下的应用。
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公开(公告)号：CN112374886B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202011183719.5
申请日：2020-10-29
Applicant: 烟台大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种离子掺杂调控高品质因数微波介质陶瓷及制备方法。陶瓷的化学表达式为Ce2Zr3‑3xMgxSb2xMo9O36，其中0.02≤x≤0.08；采用固相合成法，将CeO2、ZrO2、MoO3、MgO和Sb2O5按化学表达式中的化学计量比配料、球磨、烘干、过筛后预烧；预烧粉末经二次球磨、烘干、过筛后进行造粒，再压制成坯体；坯体于700～850℃烧结。本发明微波介质陶瓷材料具有以下特点：微波品质因数（Q×f=49,033~71,748 GHz）,介电常数（εr=10.03~10.46）,谐振频率温度系数（τf=‑12.54~‑8.60 ppm/℃）。本发明制备工艺简单，在工业上具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN112250441A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011168814.8
申请日：2020-10-28
Applicant: 烟台大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 发明公开了低烧结温度介电性能可调的微波介质陶瓷及制备方法，其化学通式为Pr2Ti3‑xZrxMo9O36，其中0≤x≤2.7。制备工艺包括：配料、球磨、预烧合成、二次球磨、造粒、成型、排胶和烧结。本发明提供了一种新型稀土和钛的双钼酸盐微波介质陶瓷Pr2Ti3Mo9O36，并通过引入Zr4+调节了其介电性能。本发明中的微波介质陶瓷具有较低的烧结温度(650~800°C)、低介电常数(εr=10.7～16.4)、高的品质因数(Q•f＝18,700～80,700 GHz)及近零的谐振频率温度系数(τf=‑14.1～‑2.6 ppm/°C)。本发明提供的微波介质陶瓷可用于微波通讯系统中的介质谐振器、滤波器、天线等关键元器件，并使这些元器件适合更高频率下的应用。
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公开(公告)号：CN112374886A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011183719.5
申请日：2020-10-29
Applicant: 烟台大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种离子掺杂调控高品质因数微波介质陶瓷及制备方法。陶瓷的化学表达式为Ce2Zr3‑3xMgxSb2xMo9O36，其中0.02≤x≤0.08；采用固相合成法，将CeO2、ZrO2、MoO3、MgO和Sb2O5按化学表达式中的化学计量比配料、球磨、烘干、过筛后预烧；预烧粉末经二次球磨、烘干、过筛后进行造粒，再压制成坯体；坯体于700～850℃烧结。本发明微波介质陶瓷材料具有以下特点：微波品质因数（Q×f=49,033~71,748 GHz）,介电常数（εr=10.03~10.46）,谐振频率温度系数（τf=‑12.54~‑8.60 ppm/℃）。本发明制备工艺简单，在工业上具有广阔的应用前景。
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