公开(公告)号：CN115852311A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211369543.1

申请日：2022-11-03

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 邹娟 ,  陈骞鑫 ,  谭阳春 ,  钟高阔 ,  任传来 ,  钟向丽 ,  裴延睿 ,  王向东

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C23C14/04

Abstract: 本发明公开了一种利用高通量制备方法获得AB两相梯度薄膜和大面积梯度薄膜材料，属于复合薄膜材料技术领域，大面积梯度薄膜材料包括基底层、底电极层和功能层；基底层为刚性基底SrTiO3衬底，底电极层为基于所述基底层生长的SrRuO3薄膜；功能层为基于所述底电极层生长的AB两相梯度薄膜，实现多功能应用。本发明采用高通量制备方法，制备了以BaTiO3和SrTiO3为基本单元的梯度薄膜，相比于单一成分的薄膜来说，能在大面积衬底上同时获得大量不同组分的梯度薄膜，极大程度便于在更短时间内筛选多组分薄膜的最佳组分，为薄膜材料的应用与发展提供了新的途径和方法。

公开(公告)号：CN115763074A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211449424.7

申请日：2022-11-18

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 钟向丽 ,  陈骞鑫 ,  钟高阔 ,  任传来 ,  曾令平 ,  邹娟 ,  王向东 ,  裴延睿

IPC: H01G4/33 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C23C14/04 ,  H01G4/10

Abstract: 本发明公开了一种高通量反铁电‑介电储能固溶薄膜，包括：衬底，以及在衬底上依次生长的底电极层和反铁电‑介电层；衬底为刚性基底SrTiO3；底电极层为SrRuO3薄膜；反铁电‑介电层是由PbZrO3反铁电层和SrTiO3介电层交替生长的固溶薄膜；PbZrO3反铁电层成分沿水平方向阶梯式减少，SrTiO3介电层成分沿水平方向阶梯式增多。本发明通过改变PbZrO3和SrTiO3的激光发数比、循环周期等生长参数优化了高通量薄膜的反铁电特性，从而实现了更低漏电流密度以及更优性能，有望使其应用于储能薄膜以及电容器等应用领域。

公开(公告)号：CN108809905A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710303924.2

申请日：2017-05-03

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 邓清勇 ,  秦井霞 ,  裴延睿 ,  邓亚风 ,  李哲涛 ,  曹家盛

IPC: H04L29/06 ,  H04W84/18

CPC classification number: H04L69/03 ,  H04W28/08 ,  H04W80/00 ,  H04W84/18

Abstract: 本发明提出一种多接口协作的高吞吐多信道MAC协议。首先在多接口节点模型中增加虚拟MAC层，并在MAC层中设计新的握手机制和多信道分配方法，利用单接口的成功握手信息建立源‑目标节点之间所有接口同步传输的关系，以此来提高吞吐量和控制帧效率。

公开(公告)号：CN115910522A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211369793.5

申请日：2022-11-03

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 邹娟 ,  陈骞鑫 ,  钟高阔 ,  任传来 ,  钟向丽 ,  裴延睿 ,  王向东

IPC: H01F10/20

Abstract: 本发明公开了一种AB复合多铁薄膜、高通量复合多铁薄膜材料及其制备方法，属于复合薄膜材料技术领域，高通量复合多铁薄膜材料包括衬底、底电极层和功能层；衬底为刚性基底SrTiO3衬底；底电极层设置在衬底上，底电极层为基于衬底生长的SrRuO3薄膜；功能层设置在底电极层上，功能层为基于底电极层生长的AB复合多铁薄膜。本发明结合双靶材法与自动掩膜版系统，制备了以Ga0.5Fe1.5O3和Fe3O4为基本单元的梯度复合多铁薄膜，通过改变Ga0.5Fe1.5O3和Fe3O4的激光发数比、循环周期等生长参数调控其磁电耦合效应，有望真正实现基于磁电复合薄膜的功能器件的集成化、微型化和多功能化。