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公开(公告)号：CN108538920B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201810237396.X
申请日：2018-03-21
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/51
Abstract: 本发明公开了一种柔性铁电薄膜晶体管，包括衬底；在所述衬底上形成的缓冲层；在所述缓冲层上形成的底栅电极；在所述底栅电极上形成的铁电薄膜层；在所述铁电薄膜层上形成的金属层；在所述金属层上形成的高介电材料缓冲层；在所述高介电材料缓冲层上形成的沟道层；在所述高介电材料缓冲层上形成的源电极且同所述源电极分离形成的漏电极；所述源电极和所述漏电极分别覆盖于所述沟道层两端的端部。本发明实施例提供的柔性铁电薄膜晶体管存储密度高、微型化能力强、应用领域广泛。本发明还提供了一种柔性铁电薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN112151602A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010941513.8
申请日：2020-09-09
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明申请公开一种氧化铪基铁电薄膜和氧化铪基铁电薄膜制备方法。氧化铪基铁电薄膜包括多个纳米铁电畴，和包围在每个纳米铁电畴周围的相结构，以使得多个纳米铁电畴之间呈弥散分布，形成多相共存结构；相结构为顺电相、非铁电相和反铁电相。基于本发明实施例，本发明的氧化铪基铁电薄膜为多相共存结构，其呈弥散布置的多个数量的纳米铁电畴有利于降低氧化铪基铁电薄膜的极化翻转势垒，从而减小了其矫顽场电压。另一方面，基于本发明实施例的氧化铪基铁电薄膜，仅需一个稍小的外加驱动电压就能达到相对大的剩余极化值，可以减小器件工作电压，避免氧化铪基铁电薄膜在高循环电场中过早的出现硬击穿现象，有效地提高氧化铪基铁电薄膜的抗疲劳性能。
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公开(公告)号：CN109935590A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910249590.4
申请日：2019-03-29
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L27/11507 , H01L27/11509 , H01L29/16 , H01L49/02
Abstract: 一种1T1C柔性铁电存储器，包括：晶体管结构(1)、电容结构(2)和引线层(3)；晶体管结构(1)包括衬底(11)、源极(12)、漏极(13)和栅极(14)；源极(12)和漏极(13)分别嵌设于衬底(11)一面上，源极(12)和漏极(13)间隔设置，且靠近衬底(11)的一端；栅极(14)设置于衬底(1)表面上且位于源极(12)与漏极(13)之间；电容结构(2)位于衬底(11)的表面上，且靠近衬底(11)的另一端，并通过引线层(3)与晶体管结构(1)连接。本发明还提供一种1T1C柔性铁电存储器的制备方法，通过采用深反应离子刻蚀来减薄衬底材料厚度以实现柔性铁电存储器，具有工艺简单和成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN113889476A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111142295.2
申请日：2019-03-29
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L27/11507 , H01L27/11509 , H01L29/16 , H01L49/02
Abstract: 本发明提供一种1T1C柔性铁电存储器及其制备方法，属于集成电路技术领域，包括：晶体管结构(1)、晶体管保护层(16)、电容结构(2)和引线层(3)；晶体管结构(1)包括衬底(11)、源极(12)、漏极(13)和栅极(14)；源极(12)和漏极(13)分别嵌设于衬底(11)一面，源极(12)和漏极(13)间隔设置，且靠近衬底(11)的一端；栅极(14)设置于衬底(1)表面上且位于源极(12)与漏极(13)之间；电容结构(2)位于衬底(11)的表面上，且靠近衬底(11)的另一端，并通过引线层(3)与晶体管结构(1)连接，电容结构(2)包括依次层叠设置的上电极(21)、电容介质层(22)和下电极(23)。采用氧化铪基铁电材料作为电容介质层(22)，同时采用深反应离子刻蚀来减薄衬底材料厚度，使得铁电存储器超薄且柔性效果更好，具有工艺简单和成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN114050162A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111121653.1
申请日：2018-03-05
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L27/1159 , H01L29/51 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种铁电存储器及其制备方法，涉及半导体技术领域，所述铁电存储器包括水平衬底，设置在所述水平衬底内的公共源极，所述水平衬底上表面至少设置两个阵列串，两个所述阵列串之间通过第一介质层隔开；所述阵列串包括垂直于所述水平衬底的柱型半导体区域，位于所述柱型半导体区域上的氧保护层和引线层，依此包裹所述柱型半导体区域的铁电薄膜层，缓冲层和与第二介质层相堆叠的控制栅电极；其中，所述引线层穿透所述氧保护层与所述柱型半导体区域的上表面接触。采用铁电薄膜存储介质替代浮栅电荷存储介质形成金属‑铁电‑绝缘‑半导体(MFIS)结构，可获得更低的工作电压，得到更高的反复擦写能力和良好的抗辐射能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108538920A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810237396.X
申请日：2018-03-21
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/51
Abstract: 本发明公开了一种柔性铁电薄膜晶体管，包括衬底；在所述衬底上形成的缓冲层；在所述缓冲层上形成的底栅电极；在所述底栅电极上形成的铁电薄膜层；在所述铁电薄膜层上形成的金属层；在所述金属层上形成的高介电材料缓冲层；在所述高介电材料缓冲层上形成的沟道层；在所述高介电材料缓冲层上形成的源电极且同所述源电极分离形成的漏电极；所述源电极和所述漏电极分别覆盖于所述沟道层两端的端部。本发明实施例提供的柔性铁电薄膜晶体管存储密度高、微型化能力强、应用领域广泛。本发明还提供了一种柔性铁电薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN108470773A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810237772.5
申请日：2018-03-21
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/78 , H01L29/51
Abstract: 本发明公开了一种铁电薄膜晶体管，包括衬底；在所述衬底上形成的缓冲层；在所述缓冲层上形成的底栅电极；在所述底栅电极上形成的铁电薄膜层；在所述铁电薄膜层上形成的高介电材料缓冲层；在所述高介电材料缓冲层上形成的沟道层；在所述高介电材料缓冲层上形成的源电极且同所述源电极分离形成的漏电极；所述源电极和所述漏电极分别覆盖于所述沟道层两端的端部。本发明实施例提供的铁电薄膜晶体管存储密度高、微型化能力强、应用领域广泛。本发明还提供了一种铁电薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN108470773B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201810237772.5
申请日：2018-03-21
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/78 , H01L29/51
Abstract: 本发明公开了一种铁电薄膜晶体管，包括衬底；在所述衬底上形成的缓冲层；在所述缓冲层上形成的底栅电极；在所述底栅电极上形成的铁电薄膜层；在所述铁电薄膜层上形成的高介电材料缓冲层；在所述高介电材料缓冲层上形成的沟道层；在所述高介电材料缓冲层上形成的源电极且同所述源电极分离形成的漏电极；所述源电极和所述漏电极分别覆盖于所述沟道层两端的端部。本发明实施例提供的铁电薄膜晶体管存储密度高、微型化能力强、应用领域广泛。本发明还提供了一种铁电薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN112151602B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202010941513.8
申请日：2020-09-09
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明申请公开一种氧化铪基铁电薄膜和氧化铪基铁电薄膜制备方法。氧化铪基铁电薄膜包括多个纳米铁电畴，和包围在每个纳米铁电畴周围的相结构，以使得多个纳米铁电畴之间呈弥散分布，形成多相共存结构；相结构为顺电相、非铁电相和反铁电相。基于本发明实施例，本发明的氧化铪基铁电薄膜为多相共存结构，其呈弥散布置的多个数量的纳米铁电畴有利于降低氧化铪基铁电薄膜的极化翻转势垒，从而减小了其矫顽场电压。另一方面，基于本发明实施例的氧化铪基铁电薄膜，仅需一个稍小的外加驱动电压就能达到相对大的剩余极化值，可以减小器件工作电压，避免氧化铪基铁电薄膜在高循环电场中过早的出现硬击穿现象，有效地提高氧化铪基铁电薄膜的抗疲劳性能。
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公开(公告)号：CN109097757B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201810813379.6
申请日：2018-07-23
Applicant: 湘潭大学
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明公开了一种镨离子掺杂的二氧化铪铁电薄膜的制备方法，包括以下步骤：将乙酰丙酮铪和乙酸混合，加热搅拌至澄清，继而冷却至室温获得第一溶液。依次在第一溶液中加入硝酸镨(III)六水合物，乙酰丙酮溶液，继而加热搅拌至澄清获得第二溶液。将第二溶液滴加到铂衬底上进行N次旋涂处理操作后，再执行退火操作获得镨离子掺杂的二氧化铪铁电薄膜，其中,N为大于等于1的正整数。通过实施本发明实施例，能在不使用手套箱等其他大型设备的情况下制备出镨掺杂二氧化铪铁电薄膜，制备工艺简单、设备成本低、易于规模化生产。
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