公开(公告)号：CN108538920B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN201810237396.X

申请日：2018-03-21

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 廖敏 ,  贾林飞 ,  刘晨 ,  刘恒 ,  彭强祥 ,  周益春

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明公开了一种柔性铁电薄膜晶体管，包括衬底；在所述衬底上形成的缓冲层；在所述缓冲层上形成的底栅电极；在所述底栅电极上形成的铁电薄膜层；在所述铁电薄膜层上形成的金属层；在所述金属层上形成的高介电材料缓冲层；在所述高介电材料缓冲层上形成的沟道层；在所述高介电材料缓冲层上形成的源电极且同所述源电极分离形成的漏电极；所述源电极和所述漏电极分别覆盖于所述沟道层两端的端部。本发明实施例提供的柔性铁电薄膜晶体管存储密度高、微型化能力强、应用领域广泛。本发明还提供了一种柔性铁电薄膜晶体管的制备方法。

公开(公告)号：CN108538920A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810237396.X

申请日：2018-03-21

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 廖敏 ,  贾林飞 ,  刘晨 ,  刘恒 ,  彭强祥 ,  周益春

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明公开了一种柔性铁电薄膜晶体管，包括衬底；在所述衬底上形成的缓冲层；在所述缓冲层上形成的底栅电极；在所述底栅电极上形成的铁电薄膜层；在所述铁电薄膜层上形成的金属层；在所述金属层上形成的高介电材料缓冲层；在所述高介电材料缓冲层上形成的沟道层；在所述高介电材料缓冲层上形成的源电极且同所述源电极分离形成的漏电极；所述源电极和所述漏电极分别覆盖于所述沟道层两端的端部。本发明实施例提供的柔性铁电薄膜晶体管存储密度高、微型化能力强、应用领域广泛。本发明还提供了一种柔性铁电薄膜晶体管的制备方法。

公开(公告)号：CN108470773A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201810237772.5

申请日：2018-03-21

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 廖敏 ,  贾林飞 ,  刘晨 ,  刘恒 ,  彭强祥 ,  周益春

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明公开了一种铁电薄膜晶体管，包括衬底；在所述衬底上形成的缓冲层；在所述缓冲层上形成的底栅电极；在所述底栅电极上形成的铁电薄膜层；在所述铁电薄膜层上形成的高介电材料缓冲层；在所述高介电材料缓冲层上形成的沟道层；在所述高介电材料缓冲层上形成的源电极且同所述源电极分离形成的漏电极；所述源电极和所述漏电极分别覆盖于所述沟道层两端的端部。本发明实施例提供的铁电薄膜晶体管存储密度高、微型化能力强、应用领域广泛。本发明还提供了一种铁电薄膜晶体管的制备方法。

公开(公告)号：CN108470773B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201810237772.5

申请日：2018-03-21

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 廖敏 ,  贾林飞 ,  刘晨 ,  刘恒 ,  彭强祥 ,  周益春

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明公开了一种铁电薄膜晶体管，包括衬底；在所述衬底上形成的缓冲层；在所述缓冲层上形成的底栅电极；在所述底栅电极上形成的铁电薄膜层；在所述铁电薄膜层上形成的高介电材料缓冲层；在所述高介电材料缓冲层上形成的沟道层；在所述高介电材料缓冲层上形成的源电极且同所述源电极分离形成的漏电极；所述源电极和所述漏电极分别覆盖于所述沟道层两端的端部。本发明实施例提供的铁电薄膜晶体管存储密度高、微型化能力强、应用领域广泛。本发明还提供了一种铁电薄膜晶体管的制备方法。

公开(公告)号：CN109097757B

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201810813379.6

申请日：2018-07-23

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 廖敏 ,  刘恒 ,  贾林飞 ,  刘晨 ,  彭强祥 ,  周益春

IPC: C23C18/12

Abstract: 本发明公开了一种镨离子掺杂的二氧化铪铁电薄膜的制备方法，包括以下步骤：将乙酰丙酮铪和乙酸混合，加热搅拌至澄清，继而冷却至室温获得第一溶液。依次在第一溶液中加入硝酸镨(III)六水合物，乙酰丙酮溶液，继而加热搅拌至澄清获得第二溶液。将第二溶液滴加到铂衬底上进行N次旋涂处理操作后，再执行退火操作获得镨离子掺杂的二氧化铪铁电薄膜，其中,N为大于等于1的正整数。通过实施本发明实施例，能在不使用手套箱等其他大型设备的情况下制备出镨掺杂二氧化铪铁电薄膜，制备工艺简单、设备成本低、易于规模化生产。

公开(公告)号：CN109097757A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810813379.6

申请日：2018-07-23

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 廖敏 ,  刘恒 ,  贾林飞 ,  刘晨 ,  彭强祥 ,  周益春

IPC: C23C18/12

Abstract: 本发明公开了一种镨离子掺杂的二氧化铪铁电薄膜的制备方法，包括以下步骤：将乙酰丙酮铪和乙酸混合，加热搅拌至澄清，继而冷却至室温获得第一溶液。依次在第一溶液中加入硝酸镨(III)六水合物，乙酰丙酮溶液，继而加热搅拌至澄清获得第二溶液。将第二溶液滴加到铂衬底上进行N次旋涂处理操作后，再执行退火操作获得镨离子掺杂的二氧化铪铁电薄膜，其中,N为大于等于1的正整数。通过实施本发明实施例，能在不使用手套箱等其他大型设备的情况下制备出镨掺杂二氧化铪铁电薄膜，制备工艺简单、设备成本低、易于规模化生产。