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公开(公告)号：CN104900488A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510208176.0
申请日：2015-04-29
Applicant: 湖南文理学院
IPC: H01L21/02 , H01L21/3063 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/0203 , H01L21/268 , H01L21/3063
Abstract: 一种能稳定多孔硅膜物理微结构的新方法，属半导体材料技术领域。该方法是在多孔硅膜的形成过程中，就对多孔硅膜的内表面使用过氧化氢（H2O2）并使用短波射线照射同时进行氧化处理，边对体硅进行阳极腐蚀，边对其内表面进行氧化处理，使多孔硅内表面的硅悬空键与过氧化氢中的氧原子结合形成稳定的硅-氧键，增强多孔硅薄膜表面的稳定性和均匀性、光滑度和机械强度，保证多孔硅薄膜的物理微结构的稳定和均匀。本发明可提高多孔硅薄膜的物理强度、物理微结构、光学特性的稳定性和均匀性；有利于制备物理微结构稳定的多孔硅厚膜；有利于探索使用多孔硅多层膜用于光子器件中，有可能制备出稳定性很强和均匀性很高的多孔硅多层器件--多孔硅微腔。
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公开(公告)号：CN102874746B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210383898.6
申请日：2012-10-11
Applicant: 湖南文理学院
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种能提高多孔硅薄膜物理微结构及光学特性均匀性的方法，是通过采用递减腐蚀电流密度的方法，减少纵向方向的多孔度或提高折射率，抵消在恒腐蚀电流条件下随腐蚀深度增加导致增加的多孔度或减少折射率，从而使两者达到动态平衡状态，来提高多孔硅薄膜的沿纵向方向上的物理微结构和光学特性的均匀性。其特点和进步表现在：因本发明是通过递减腐蚀电流密度来改善多孔硅单层膜纵向物理微结构和光学特性的均匀性；因此提高了多孔硅薄膜沿纵向方向上的物理微结构和光学特性的均匀性；有利于建立多孔硅多层膜界面之间平整度；有利于探索使用均匀性和界面平整度改善后的多孔硅多层膜用于光子器件中实现方案，如布拉格反射镜和微腔等，有可能实现多孔硅微腔任意波长激射。
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公开(公告)号：CN102874746A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210383898.6
申请日：2012-10-11
Applicant: 湖南文理学院
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种能提高多孔硅薄膜物理微结构及光学特性均匀性的方法，是通过采用递减腐蚀电流密度的方法，减少纵向方向的多孔度或提高折射率，抵消在恒腐蚀电流条件下随腐蚀深度增加导致增加的多孔度或减少折射率，从而使两者达到动态平衡状态，来提高多孔硅薄膜的沿纵向方向上的物理微结构和光学特性的均匀性。其特点和进步表现在：因本发明是通过递减腐蚀电流密度来改善多孔硅单层膜纵向物理微结构和光学特性的均匀性；因此提高了多孔硅薄膜沿纵向方向上的物理微结构和光学特性的均匀性；有利于建立多孔硅多层膜界面之间平整度；有利于探索使用均匀性和界面平整度改善后的多孔硅多层膜用于光子器件中实现方案，如布拉格反射镜和微腔等，有可能实现多孔硅微腔任意波长激射。
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公开(公告)号：CN104900488B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510208176.0
申请日：2015-04-29
Applicant: 湖南文理学院
IPC: H01L21/02 , H01L21/3063 , H01L21/268
Abstract: 一种能稳定多孔硅膜物理微结构的方法，属半导体材料技术领域。该方法是在多孔硅膜的形成过程中，就对多孔硅膜的内表面使用过氧化氢（H2O2）并使用短波射线照射同时进行氧化处理，边对体硅进行阳极腐蚀，边对其内表面进行氧化处理，使多孔硅膜内表面的硅悬空键与过氧化氢中的氧原子结合形成稳定的硅‑氧键，增强多孔硅膜表面的稳定性和均匀性、光滑度和机械强度，保证多孔硅膜的物理微结构的稳定和均匀。本发明可提高多孔硅膜的物理强度、物理微结构、光学特性的稳定性和均匀性；有利于制备物理微结构稳定的多孔硅膜；有利于探索使用多层多孔硅膜用于光子器件中，有可能制备出稳定性很强和均匀性很高的多层多孔硅膜器件即多孔硅微腔。
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