公开(公告)号：CN113406730B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202110830838.3

申请日：2021-07-22

Applicant: 湖南大学

Inventor： 刘建军 ,  彭宇宸 ,  颜贝 ,  谢建斓 ,  史奥芊 ,  高峰 ,  彭鹏 ,  蒋家培

IPC: G02B1/00 ,  G02B6/122

Abstract: 本发明公开了一种利用2DS‑T光子晶体实现多频段拓扑角态的方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、基于2DS‑T光子晶体，改变其散射子直径大小，产生里大外小型TypeI、里外一致型TypeII、里小外大型TypeIII三种不同类型的基本结构单元；步骤二、将TypeI光子晶体与TypeIII光子晶体以晶格常数为间距左右阵列组合，或者两种TypeI光子晶体或两种TypeIII光子晶体满足错位的带隙下最近邻的能带是Nontrivial与Trivial的组合情形，在投影能带中产生拓扑边界态。该方法不仅丰富了高阶拓扑态的研究，也为实现拓扑角态提供了更简易的方法。

公开(公告)号：CN113406730A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110830838.3

申请日：2021-07-22

Applicant: 湖南大学

Inventor： 刘建军 ,  彭宇宸 ,  颜贝 ,  谢建斓 ,  史奥芊 ,  高峰 ,  彭鹏 ,  蒋家培

IPC: G02B1/00 ,  G02B6/122

Abstract: 本发明公开了一种利用2DS‑T光子晶体实现多频段拓扑角态的方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、基于2DS‑T光子晶体，改变其散射子直径大小，产生里大外小型TypeI、里外一致型TypeII、里小外大型TypeIII三种不同类型的基本结构单元；步骤二、将TypeI光子晶体与TypeIII光子晶体以晶格常数为间距左右阵列组合，或者两种TypeI光子晶体或两种TypeIII光子晶体满足错位的带隙下最近邻的能带是Nontrivial与Trivial的组合情形，在投影能带中产生拓扑边界态。该方法不仅丰富了高阶拓扑态的研究，也为实现拓扑角态提供了更简易的方法。