公开(公告)号：CN113406730B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202110830838.3

申请日：2021-07-22

Applicant: 湖南大学

Inventor： 刘建军 ,  彭宇宸 ,  颜贝 ,  谢建斓 ,  史奥芊 ,  高峰 ,  彭鹏 ,  蒋家培

IPC: G02B1/00 ,  G02B6/122

Abstract: 本发明公开了一种利用2DS‑T光子晶体实现多频段拓扑角态的方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、基于2DS‑T光子晶体，改变其散射子直径大小，产生里大外小型TypeI、里外一致型TypeII、里小外大型TypeIII三种不同类型的基本结构单元；步骤二、将TypeI光子晶体与TypeIII光子晶体以晶格常数为间距左右阵列组合，或者两种TypeI光子晶体或两种TypeIII光子晶体满足错位的带隙下最近邻的能带是Nontrivial与Trivial的组合情形，在投影能带中产生拓扑边界态。该方法不仅丰富了高阶拓扑态的研究，也为实现拓扑角态提供了更简易的方法。

公开(公告)号：CN113406730A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110830838.3

申请日：2021-07-22

Applicant: 湖南大学

Inventor： 刘建军 ,  彭宇宸 ,  颜贝 ,  谢建斓 ,  史奥芊 ,  高峰 ,  彭鹏 ,  蒋家培

IPC: G02B1/00 ,  G02B6/122

Abstract: 本发明公开了一种利用2DS‑T光子晶体实现多频段拓扑角态的方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、基于2DS‑T光子晶体，改变其散射子直径大小，产生里大外小型TypeI、里外一致型TypeII、里小外大型TypeIII三种不同类型的基本结构单元；步骤二、将TypeI光子晶体与TypeIII光子晶体以晶格常数为间距左右阵列组合，或者两种TypeI光子晶体或两种TypeIII光子晶体满足错位的带隙下最近邻的能带是Nontrivial与Trivial的组合情形，在投影能带中产生拓扑边界态。该方法不仅丰富了高阶拓扑态的研究，也为实现拓扑角态提供了更简易的方法。

公开(公告)号：CN118192071A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410410353.2

申请日：2024-04-07

Applicant: 湖南大学

Inventor： 刘建军 ,  包淋升 ,  彭宇宸 ,  史奥芊 ,  彭鹏 ,  宁佳运 ,  王瑱男

IPC: G02B27/00 ,  G02B6/26

Abstract: 本发明公开了一种非厄米系统四态光学模型及非阿贝尔特性研究方法，首先，基于耦合光波导结构构建四个直波导组成的波导阵列模型，其次，通过在波导中引入增益/损耗以实现非厄米效应，最后，通过改变波导横截面尺寸及波导折射率以实现基于可调参数的特征值变化研究。本发明非厄米系统四态光学模型的特征值排列规律满足D4群，基于七种非平凡特征值排列结果，再加上自身不变的排列共同组成非阿贝尔D4群{e、μ1、μ2、μ3、τ1、τ2、τ3、τ4}。本发明是非阿贝尔现象在非厄米光学领域的尝试，丰富了非厄米系统非阿贝尔现象，为非阿贝尔现象在其他物理平台的研究提供理论支撑。