-
公开(公告)号：CN109861571B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910131370.1
申请日：2019-02-22
Applicant: 湖南大学
IPC: H02M7/5387 , H02M1/32 , H02M1/08
Abstract: 本发明提供了一种改善SiC逆变器可靠性的驱动方法与系统，其属于使用主动驱动电路调节SiC逆变器各功率单元中功率器件结温的方法，具体通过包括低频判断、结温均衡控制和结温平滑控制的步骤1～7计算出所需的结温温升和电路参数，从而提升或降低逆变器中SiC器件结温，此外该方法和系统可以对任意功率器件进行独立调节。本发明的优点在于，通过SiC逆变器稳定运行时进行结温均衡控制，能降低散热条件最差的功率器件的平均结温，同时在逆变器低输出频率运行时进行结温平滑控制，降低所有功率器件的结温波动，从而提高整机的寿命和可靠性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109861571A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910131370.1
申请日：2019-02-22
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种改善SiC逆变器可靠性的驱动方法与系统，其属于使用主动驱动电路调节SiC逆变器各功率单元中功率器件结温的方法，具体通过包括低频判断、结温均衡控制和结温平滑控制的步骤1～7计算出所需的结温温升和电路参数，从而提升或降低逆变器中SiC器件结温，此外该方法和系统可以对任意功率器件进行独立调节。本发明的优点在于，通过SiC逆变器稳定运行时进行结温均衡控制，能降低散热条件最差的功率器件的平均结温，同时在逆变器低输出频率运行时进行结温平滑控制，降低所有功率器件的结温波动，从而提高整机的寿命和可靠性。
-
公开(公告)号：CN107219016A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710376206.8
申请日：2017-05-24
Applicant: 湖南大学
CPC classification number: G01K7/22 , G01R31/2601 , G06F17/5018
Abstract: 本发明提供计算IGBT模块瞬态结温的方法和系统，包括：获取电路状态信息、损耗参数和内置热敏电阻压降信息；根据电路状态信息和损耗参数计算功率模块损耗，并根据模块内置热敏电阻压降信息计算基板温度；根据模块内部芯片与内置热敏电阻提供的温度信息作为参考温度，同时考虑功率模块内部芯片之间的热耦合，建立更简化的IGBT模块热阻网络模型，并根据功率模块损耗和热阻网络模型计算结温温升；根据基板温度和结温温升计算瞬态结温，实现IGBT瞬时工作结温的在线获取。本发明充分利用功率模块内部已有的热敏电阻资源，建立基于功率模块电热耦合模型的结温测量系统，实现为变流器系统的安全运行和健康管理提供精确的功率器件结温信息。
-
公开(公告)号：CN109842279A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910131369.9
申请日：2019-02-22
Applicant: 湖南大学
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明属于电路控制技术领域，尤其涉及一种SiC MOSFET开环主动驱动电路。该电路包括传统驱动电路，还包括辅助电路，所述辅助电路包括di/dt检测电路和分流电路；所述di/dt检测电路用于判断SiC MOSFET的开通和关断阶段，并将判断得到的信号传输至分流电路；所述分流电路通过di/dt检测电路的信号对SiC MOSFET的栅极电流进行分流。本发明提供一种SiC MOSFET开环主动驱动电路，该电路在传统SiC MOSFET驱动电路后加入了分流电路和di/dt检测电路，缩短了开关延时时间，降低了开关损耗，且主动驱动电路为开环操作，降低了系统的成本和复杂性。
-
公开(公告)号：CN109842279B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201910131369.9
申请日：2019-02-22
Applicant: 湖南大学
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明属于电路控制技术领域，尤其涉及一种SiC MOSFET开环主动驱动电路。该电路包括传统驱动电路，还包括辅助电路，所述辅助电路包括di/dt检测电路和分流电路；所述di/dt检测电路用于判断SiC MOSFET的开通和关断阶段，并将判断得到的信号传输至分流电路；所述分流电路通过di/dt检测电路的信号对SiC MOSFET的栅极电流进行分流。本发明提供一种SiC MOSFET开环主动驱动电路，该电路在传统SiC MOSFET驱动电路后加入了分流电路和di/dt检测电路，缩短了开关延时时间，降低了开关损耗，且主动驱动电路为开环操作，降低了系统的成本和复杂性。
-
公开(公告)号：CN107219016B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201710376206.8
申请日：2017-05-24
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供计算IGBT模块瞬态结温的方法和系统，包括：获取电路状态信息、损耗参数和内置热敏电阻压降信息；根据电路状态信息和损耗参数计算功率模块损耗，并根据模块内置热敏电阻压降信息计算基板温度；根据模块内部芯片与内置热敏电阻提供的温度信息作为参考温度，同时考虑功率模块内部芯片之间的热耦合，建立更简化的IGBT模块热阻网络模型，并根据功率模块损耗和热阻网络模型计算结温温升；根据基板温度和结温温升计算瞬态结温，实现IGBT瞬时工作结温的在线获取。本发明充分利用功率模块内部已有的热敏电阻资源，建立基于功率模块电热耦合模型的结温测量系统，实现为变流器系统的安全运行和健康管理提供精确的功率器件结温信息。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.018 seconds)
