公开(公告)号：CN116072324A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310073169.9

申请日：2023-01-12

Applicant: 湖南大学

Inventor： 蒋健晖 ,  贺建军 ,  夏桢 ,  任洪平 ,  薛良彬

IPC: G21K1/02 ,  G21K1/00 ,  G21F5/015

Abstract: 本发明公开了一种准直点可视开放源容器，包括载源器、放射性药物吸附物、LED灯，控制电路，所述载源器内设有内腔，载源器底部开设有与内腔和外界相连通的准直孔，所述放射性药物吸附物位于内腔内，所述LED灯位于准直孔内并通过控制电路开启或关闭。本发明具有便于调整准直源照射位置的优点。

公开(公告)号：CN116125525A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310073151.9

申请日：2023-01-12

Applicant: 湖南大学

Inventor： 蒋健晖 ,  贺建军 ,  夏桢 ,  任洪平 ,  薛良彬

IPC: G01T7/00 ,  G01T1/164

Abstract: 本发明公开了一种SPECT固有空间非线性校正模型，包括顺序堆叠连接的保护板、第一屏蔽板、空心板、第二屏蔽板，所述保护板、第一屏蔽板上分别开设有第一孔阵列和第二孔阵列，所述第一孔阵列和第二孔阵列一一对应设置，所述空心板内设有空心区域，所述空心区域充有液态放射源。本发明具有校正准确度高的优点。

公开(公告)号：CN114784050B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210683525.4

申请日：2022-06-17

Applicant: 湖南大学

Inventor： 廖蕾 ,  邹旭明 ,  夏桢 ,  吕亚威 ,  洪曦彤

IPC: H01L27/30 ,  H01L27/28 ,  H01L29/778 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种神经形态视觉传感器及其应用和制备方法，属于半导体技术领域，所述视觉传感器包括高k介质层、钙钛矿层和顶栅电极，所述钙钛矿层位于高k介质层之上、顶栅电极位于钙钛矿层之上，所述神经形态视觉传感器在紫外至可见光波段都具备正向/负向光电流响应。本发明通过在AlGaN/GaN异质结构中引入高k介质层/钙钛矿层作为栅介质，将AlGaN/GaN异质结构和钙钛矿优异的光电性质结合在一起，所提出的视觉传感器架构成功突破了AlGaN/GaN异质结构光电探测器单向光响应的限制，实现了有效地感知和存储紫外线‑可见光区域的光学信息。

公开(公告)号：CN114784050A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210683525.4

申请日：2022-06-17

Applicant: 湖南大学

Inventor： 廖蕾 ,  邹旭明 ,  夏桢 ,  吕亚威 ,  洪曦彤

IPC: H01L27/30 ,  H01L27/28 ,  H01L29/778 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种神经形态视觉传感器及其应用和制备方法，属于半导体技术领域，所述视觉传感器包括高k介质层、钙钛矿层和顶栅电极，所述钙钛矿层位于高k介质层之上、顶栅电极位于钙钛矿层之上，所述神经形态视觉传感器在紫外至可见光波段都具备正向/负向光电流响应。本发明通过在AlGaN/GaN异质结构中引入高k介质层/钙钛矿层作为栅介质，将AlGaN/GaN异质结构和钙钛矿优异的光电性质结合在一起，所提出的视觉传感器架构成功突破了AlGaN/GaN异质结构光电探测器单向光响应的限制，实现了有效地感知和存储紫外线‑可见光区域的光学信息。

公开(公告)号：CN116616805A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310537893.2

申请日：2023-05-12

Applicant: 湖南大学

Inventor： 蒋健晖 ,  贺建军 ,  夏桢 ,  任洪平 ,  薛良彬

IPC: A61B6/03 ,  A61B6/04 ,  A61B6/00

Abstract: 本发明涉及一种医学成像装置，该医学成像装置包括：一对第一支撑底座，其相对于彼此间隔布置；一对探测装置，其分别可移动地安装至各第一支撑底座，该一对探测装置关于彼此对称布置并且其面向彼此的一侧设为入射面，各探测装置能够相对于相应第一支撑底座绕竖直方向旋转和在水平面上移动，以将该探测装置调整至期望位置和取向；第二支撑底座，其布置在该一对第一支撑底座之间，该第二支撑底座上设有用于受检对象站立以使受检对象位于该一对探测装置之间的支撑台，该支撑台能够相对于相应第二支撑底座绕竖直方向旋转和在竖直平面上移动，以使该受检对象以期望轨迹相对于该一对探测装置移动。

公开(公告)号：CN217719613U

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202221625369.8

申请日：2022-06-27

Applicant: 湖南大学

Inventor： 廖蕾 ,  邹旭明 ,  洪曦彤 ,  夏桢

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423

Abstract: 本实用新型提供一种GaN HEMT器件，所述器件包括GaN基底、位于所述GaN基底上两端的源电极和漏电极、高k介质层、位于高k介质层上的顶栅电极，所述器件还包括金属氧化物层，所述金属氧化物层位于所述高k介质层和所述GaN基底之间，所述金属氧化物层为Y2O3层。本实用新型采用以金属氧化物层作为缓冲层的方法成功实现在AlGaN表面上高k介质层的高质量沉积。本实用新型还可以通过在所述金属氧化物层和所述高k介质层之间添加NiOx层，有效调控AlGaN/GaN HEMT器件的阈值电压，得到高性能AlGaN/GaNHEMT器件。