公开(公告)号：CN115753950B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202211421494.1

申请日：2022-11-14

Applicant: 湖南大学

Inventor： 宋先印 ,  喻明浩 ,  曾帆 ,  沙学丰 ,  吕亚威 ,  蒋昌忠

IPC: G01N27/48 ,  G01N27/28 ,  G01N21/65

Abstract: 本发明涉及了一种工作距离可调的密封型原位拉曼光谱电解池装置及方法，其包括：工作电极、参比电极、对电极、电解池；电解池包括可调节光学窗口玻璃承载盖、光学窗口玻璃、光学窗口玻璃压盖、电解池主池、电解池副池。可调节光学窗口玻璃承载盖与光学窗口玻璃压盖通过密封螺纹连接将光学窗口玻璃固定，组成可调节工作距离的窗口盖。窗口盖与电解池主池通过密封螺纹连接，位于电解池主池的正中央，其窗口盖中的可调节光学窗口玻璃承载盖的外侧与电解池主池中央的内侧通过密封螺纹连接，通过调节窗口盖与电解池主池螺纹配合距离，从而达到调节窗口玻璃与被测样品之间工作距离的作用。本发明实现了一种工作距离可调的密封型原位拉曼光谱电解池。

公开(公告)号：CN116443923A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310332282.4

申请日：2023-03-31

Applicant: 湖南大学 ,  湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)

Inventor： 宋先印 ,  陈鑫 ,  曹志远 ,  吕亚威 ,  张新刚 ,  蒋昌忠

IPC: C01G23/053

Abstract: 本发明专利涉及了一种金属离子掺杂金属氧化物半导体的制备方法，制备方法包括以下步骤：(1)将TiO2薄膜置于一定浓度的不同金属盐水溶液中，在高温水热釜中恒温一段时间。待温度降至室温后，用去离子水冲洗TiO2薄膜，最后自然晾干。(2)通过调节金属盐的添加量，制备出不同浓度金属离子掺杂的TiO2。(3)将上述制备的不同浓度、不同金属离子掺杂的TiO2置于退火炉中在一定温度下保温一段时间，最终得到不同金属离子掺杂的TiO2薄膜。该方法可制备光电催化性能显著增强的金属离子掺杂TiO2光电极，而且通过简单的改变金属离子溶液浓度，可以有效调控金属离子的掺杂浓度。最后，该方法可以确保掺杂的金属离子在TiO2中均匀分布且无杂相物质析出。

公开(公告)号：CN115753950A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211421494.1

申请日：2022-11-14

Applicant: 湖南大学

Inventor： 宋先印 ,  喻明浩 ,  曾帆 ,  沙学丰 ,  吕亚威 ,  蒋昌忠

IPC: G01N27/48 ,  G01N27/28 ,  G01N21/65

Abstract: 本发明涉及了一种工作距离可调的密封型原位拉曼光谱电解池装置及方法，其包括：工作电极、参比电极、对电极、电解池；电解池包括可调节光学窗口玻璃承载盖、光学窗口玻璃、光学窗口玻璃压盖、电解池主池、电解池副池。可调节光学窗口玻璃承载盖与光学窗口玻璃压盖通过密封螺纹连接将光学窗口玻璃固定，组成可调节工作距离的窗口盖。窗口盖与电解池主池通过密封螺纹连接，位于电解池主池的正中央，其窗口盖中的可调节光学窗口玻璃承载盖的外侧与电解池主池中央的内侧通过密封螺纹连接，通过调节窗口盖与电解池主池螺纹配合距离，从而达到调节窗口玻璃与被测样品之间工作距离的作用。本发明实现了一种工作距离可调的密封型原位拉曼光谱电解池。

公开(公告)号：CN114784050B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210683525.4

申请日：2022-06-17

Applicant: 湖南大学

Inventor： 廖蕾 ,  邹旭明 ,  夏桢 ,  吕亚威 ,  洪曦彤

IPC: H01L27/30 ,  H01L27/28 ,  H01L29/778 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种神经形态视觉传感器及其应用和制备方法，属于半导体技术领域，所述视觉传感器包括高k介质层、钙钛矿层和顶栅电极，所述钙钛矿层位于高k介质层之上、顶栅电极位于钙钛矿层之上，所述神经形态视觉传感器在紫外至可见光波段都具备正向/负向光电流响应。本发明通过在AlGaN/GaN异质结构中引入高k介质层/钙钛矿层作为栅介质，将AlGaN/GaN异质结构和钙钛矿优异的光电性质结合在一起，所提出的视觉传感器架构成功突破了AlGaN/GaN异质结构光电探测器单向光响应的限制，实现了有效地感知和存储紫外线‑可见光区域的光学信息。

公开(公告)号：CN114784050A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210683525.4

申请日：2022-06-17

Applicant: 湖南大学

Inventor： 廖蕾 ,  邹旭明 ,  夏桢 ,  吕亚威 ,  洪曦彤

IPC: H01L27/30 ,  H01L27/28 ,  H01L29/778 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种神经形态视觉传感器及其应用和制备方法，属于半导体技术领域，所述视觉传感器包括高k介质层、钙钛矿层和顶栅电极，所述钙钛矿层位于高k介质层之上、顶栅电极位于钙钛矿层之上，所述神经形态视觉传感器在紫外至可见光波段都具备正向/负向光电流响应。本发明通过在AlGaN/GaN异质结构中引入高k介质层/钙钛矿层作为栅介质，将AlGaN/GaN异质结构和钙钛矿优异的光电性质结合在一起，所提出的视觉传感器架构成功突破了AlGaN/GaN异质结构光电探测器单向光响应的限制，实现了有效地感知和存储紫外线‑可见光区域的光学信息。