公开(公告)号：CN113745095A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202111033900.2

申请日：2021-09-03

Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 ,  湖北江城实验室

Inventor： 刘天建 ,  胡海威 ,  田应超 ,  曹瑞霞 ,  李琳瑜 ,  石林

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/60 ,  C23G5/00

Abstract: 本发明提供一种键合表面的金属氧化物的清洁方法，通过在等离子体活化腔室中执行活化工艺的同时还执行了还原工艺，没有增加额外的等离子体反应腔室及工艺步骤，从而没有增加工艺所需设备及成本；等离子体活化腔室中激发氢气和氮气的混合气体成为等离子体，通过等离子体轰击还原所述氧化铜薄层以将所述氧化铜还原为铜，使得键合铜垫表面上的氧化铜薄层得以还原为铜薄层，从而避免了氧化铜薄层对混合键合后的电性连接影响，提高了产品的良率；通过将已初步活化键合界面的晶圆从等离子体活化腔室中取出时与空气中的水结合即可以完成含硅氧绝缘层表面的活化，从而使得含硅氧绝缘层在混合键合时更容易键合，增加了含硅氧绝缘层的键合强度。

公开(公告)号：CN113732525A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202111033918.2

申请日：2021-09-03

Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 ,  湖北江城实验室

Inventor： 刘天建 ,  田应超 ,  李琳瑜 ,  曹瑞霞 ,  胡海威 ,  孙远

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/70 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种晶圆的切割方法，包括：提供一待切割晶圆，所述待切割晶圆具有相对设置的混合键合表面和背面，以及连接所述混合键合表面和背面的侧壁，待切割晶圆包括多个待混合键合芯片以及位于相邻待混合键合芯片之间的切割道；将待切割晶圆的混合键合表面朝向所述载盘设置，且混合键合表面的至少大部分与载盘之间未接触，并对背面执行贴膜工艺；从混合键合表面沿切割道对待切割晶圆执行激光开槽工艺，以在混合键合表面形成网格状的槽孔；在槽孔中执行激光隐形切割工艺，以得到单个的待混合键合芯片。本发明通过步骤S2，即非接触贴膜可有效规避临时键合工艺或背面贴膜工艺，降低成本同时避免了残胶的污染。